[发明专利]真反向电流阻断设备、系统和方法

权利要求书

1.一种真反向电流阻断设备，包括：

PMOS开关，其包括源端口、漏端口、栅端口和n阱区域；

耦合到所述源端口的输入电压端口；

耦合到所述漏端口的输出电压端口；

耦合到所述栅端口的开关控制端口；以及

比较器电路系统，其被配置为将所述输入电压端口处的输入电压和所述输出电压端口处的输出电压进行比较，并且选择所述输入电压和所述输出电压中的最大值，所述比较器电路系统进一步被配置为将所选择的最大值耦合到所述n阱区域。

2.根据权利要求1所述的设备，进一步被配置为：响应于所述比较器电路系统检测到所述输出电压超过所述输入电压，关断所述栅端口。

3.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：将所述源端口耦合到所述n阱区域的第一二极管，以及将所述漏端口耦合到所述n阱区域的第二二极管。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述比较器电路系统为包括二级放大器在内的级联比较器。

5.根据权利要求1所述的设备，进一步被配置为：响应于所述比较器电路系统检测到所述输出电压超过所述输入电压，将所述输入电压端口与所述输出电压端口解耦。

6.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：迟滞电路，其被配置为减少响应于信号噪声所生成的开关事件。

7.一种真反向电流阻断方法，包括：

将PMOS开关的源端口处的输入电压和所述PMOS开关的漏端口处的输出电压进行比较；

选择所述输入电压和所述输出电压中的最大值；以及

将所选择的最大值耦合到所述PMOS开关的n阱区域。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：响应于检测到所述输出电压超过所述输入电压，关断所述PMOS开关的栅端口。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：将第一二极管耦合在所述源端口和所述n阱区域之间，并且将第二二极管耦合在所述漏端口和所述n阱区域之间。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述比较由包括二级放大器在内的级联比较器来执行。

11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：响应于检测到所述输出电压超过所述输入电压，将所述源端口与所述漏端口解耦。

12.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：将迟滞电路配置为减少响应于信号噪声所生成的开关事件。

13.一种真反向电流阻断系统，包括：

真反向电流阻断开关，其包括：

PMOS开关，其包括源端口、漏端口、栅端口和n阱区域；

耦合到所述源端口的输入电压端口；

耦合到所述漏端口的输出电压端口；

耦合到所述栅端口的开关控制端口；以及

比较器电路系统，其被配置为将所述输入电压端口处的输入电压和所述输出电压端口处的输出电压进行比较，并且选择所述输入电压和所述输出电压中的最大值，所述比较器电路系统进一步被配置为将所选择的最大值耦合到所述n阱区域；

过热关断电路，其被配置为监视所述真反向电流阻断开关的温度，并且响应于所监视到的温度超过预定阈值而关断所述真反向电流阻断开关；以及

限流电路，其被配置为监视通过所述真反向电流阻断开关的电流，并且响应于所监视到的电流超过预定义的阈值而关断所述真反向电流阻断开关。

14.根据权利要求13所述的系统，其中，所述真反向电流阻断开关进一步被配置为：响应于所述比较器电路系统检测到所述输出电压超过所述输入电压而关断所述栅端口。

15.根据权利要求13所述的系统，其中，所述真反向电流阻断开关进一步包括：将所述源端口耦合到所述n阱区域的第一二极管和将所述漏端口耦合到所述n阱区域的第二二极管。

16.根据权利要求13所述的系统，其中，所述比较器电路系统为包括二级放大器在内的级联比较器。

17.根据权利要求13所述的系统，其中，所述真反向电流阻断开关进一步被配置为：响应于所述比较器电路系统检测到所述输出电压超过所述输入电压而将所述输入电压端口与所述输出电压端口解耦。

18.根据权利要求13所述的系统，其中，所述真反向电流阻断开关进一步包括：迟滞电路，其被配置为减少响应于信号噪声所生成的开关事件。