[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法

权利要求书

1.一种相变存储器单元，其包括相变材料层，其特征在于，所述相变材料层中设有至少一层诱导相变材料结晶的锑Sb薄膜。

2.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，该相变材料层中穿插设有多层所述锑Sb薄膜，每层锑Sb薄膜的厚度为1～5nm。

3.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述相变存储材料层的厚度为40～100nm。

4.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述相变材料层中的相变材料是由硫族化合物材料形成；该硫族化合物材料包括二元的材料体系和三元的材料体系。

5.根据权利要求2所述的相变存储器单元，其特征在于，由多层锑Sb薄膜分隔开的相变材料层的硫族化合物材料相同或不同。

6.一种相变存储器单元的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)在制备好加热电极的衬底上沉积相变材料层；

2)在该相变材料层上沉积锑Sb薄膜；

3)在所述锑Sb薄膜上沉积另一相变材料层；

4)重复步骤2）至步骤3）n次，n为整数，n大于等于1；

5)去除部分相变材料层，沉积金属电极并引出。

7.根据权利要求6所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于，所述制备好加热电极的衬底包括衬底、位于该衬底上的底电极层、位于该底电极层上的加热电极以及包围加热电极的介质层；所述加热电极的厚度等于或小于介质层的厚度。

8.根据权利要求7所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于，所述加热电极的厚度小于介质层的厚度；步骤1）中沉积相变材料层时保留其侧墙。

9.根据权利要求6所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于，所述步骤1）中相变材料层的沉积采用共溅射相应单质靶法或溅射相应组分的合金靶法；靶材的纯度应大于99.99％。

10.根据权利要求6所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中锑Sb薄膜采用溅射Sb单质靶的方法制备；靶材的纯度大于99.99％。