[发明专利]电子可编程熔丝器件制作方法有效
申请号: | 201210335263.9 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN102800627A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 俞柳江;毛智彪 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 可编程 器件 制作方法 | ||
1.一种电子可编程熔丝器件制作方法,其特征在于,包括:
将器件区域分为非电子可编程熔丝区域和电子可编程熔丝区域以及对光刻版进行典型尺寸增大处理;
对所述非电子可编程熔丝区域进行第一光刻,其中,进行所述第一光刻时采用第一预定曝光剂量;
采用处理过的光刻版对所述电子可编程熔丝区域进行第二光刻,其中,进进行所述第二光刻时采用第二预定曝光剂量,所述第二预定曝光剂量高于所述第一预定曝光剂量,所述处理过的光刻版中典型尺寸增大,以补偿由于采用所述第二预定曝光剂量所造成的典型尺寸的损失。
2.如权利要求1所述的电子可编程熔丝器件制作方法,其特征在于,所述对光刻版进行典型尺寸增大处理包括:采用典型尺寸偏置的方法增大光刻版中所述电子可编程熔丝区域的典型尺寸。
3.如权利要求1所述的电子可编程熔丝器件制作方法,其特征在于,还包括:在进行所述第一光刻之后,通过后续显影刻蚀工艺形成非电子可编程熔丝区域图案,以及在进行所述第二光刻之后,通过后续显影刻蚀工艺形成电子可编程熔丝区域图案。
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