[发明专利]一种祼晶的表面贴装焊接工艺无效
申请号: | 201210335659.3 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN102915933A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 廖泳;黄锦良 | 申请(专利权)人: | 厦门锐迅达电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H05K3/34 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 杨依展 |
地址: | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 焊接 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种对祼晶(晶圆级芯片)进行直接表面贴装焊接的工艺。
背景技术
随着半导体技术的发展,大规模/超大规模的集成电路在许多领域都得到广泛运用,这直接导致了芯片封装工艺的发展,其特点是,将已经蚀刻、生长处理完毕的晶圆级芯片(裸晶),通过封装封装于一个特别的外壳之中,从而可以使芯片应用于具体的电路基板上时,可以直接与封装上的电极实现连接,例锡焊接、碰焊等。这种方式已经形成了成熟的工艺,可以使小体积的裸晶能够可靠地通过通用的焊接工艺直接为下游厂家使用。
所以,裸晶的封装工艺就成了现代集成电路生产工艺中一个不可或缺的步骤,一方面,需要耗用大量的封装材料包括树脂、金属等,并且其封装工艺会针对每一个芯片进行处理,必然耗用相当的封装时间。如此,增加了芯片从成型到应用的使用周期,同时限制了必要的物料成本支出。另一方面,封装工艺会直接作用于芯片本体,芯片会受到封装工艺的影响,其封装出来的成品可靠性必然受到封装工艺的制约。
所以,在产品被大量应用时,封装工艺的芯片,总是难以避免封装结构带来过高的物料成本和繁杂物料带来的工艺流程太长,而且可靠性不高的问题。
发明内容
针对上述封装工艺带来的过高的物料、工艺成本以及可靠性不高的问题,本发明的主要目的在于提供一种祼晶表面贴装焊接的制造方法,解决祼晶大规模应用于生产时因为封装导致的上述问题,其技术方案如下:
一种祼晶的表面贴装焊接工艺,包括以下步骤:
编排:提供覆晶结构的晶圆级芯片,并置于暂存容器中;该芯片的一面具有金属电极;该金属电极还可包括延伸至该芯片侧面的部分;
印刷:提供一基板,该基板上具有可匹配该芯片其金属电极的焊盘;该焊盘上预先采用锡膏印刷机通过预设的网板在该焊盘上用钢网印刷的方式设置锡膏;
贴装:采用真空吸嘴将该芯片从该暂存容器中吸出,并置于该基板的该焊盘上;该金属电极与所述焊盘相对应;且该芯片的金属电极利用该锡膏的表面张力暂时固定于该基板上;以及
焊接:将暂时相互固定的该焊盘和金属电极通过回流焊接的方式连通。
作为该工艺技术方案的优选者,可以有如下方面的改进:
较佳实施例中,该暂存容器为编带或托盘;且该编排步骤中,该金属电极朝向该编带或托盘容置空间的底部;该编带或托盘置于一自动进给的贴片机供料台上,并受控逐个进给。
较佳实施例中,该焊接步骤包括以下流程:
传板:将已经贴装好的该基板传送如回流焊接设备,并使其受控行进;
预热:将所述锡膏中的辅助溶剂挥发,使基板及祼晶完成预热
保温:活化所述锡膏中的助焊剂,并蒸发多余溶剂;
回流焊接:使该金属电极与基板其焊盘间的锡膏熔化,形成新的合金层使二者导通;以及
冷却:使所述锡膏、金属电极、焊盘的温度降低至冷却温度;并将该基板传出回流设备。
较佳实施例中,该芯片上金属电极表包括单一金属或合金。
较佳实施例中,当该金属电极具有延伸于该芯片的侧面部分时,可以采用不对称的形式。
本发明带来的有益效果是:
1.将裸晶通过表面贴装的方式直接焊接在基板上,节省了裸晶的后道封
装工艺步骤和成本,提升了产品的竞争力.
2.通过本发明所列方式,裸晶的贴片工艺可以基本沿用现有的SMT设备,
不需要作额外硬件的大量投入,避免了封装线的成本和工艺时间,其
量产的实现较容易;
附图说明
以下结合附图实施例对本发明作进一步说明:
图1是本发明实施例一所用的祼晶10其侧视图;
图2是本发明实施例一其编排步骤中裸晶10位于暂存容器20中的剖视示意图;
图3是本发明实施例一编排步骤中裸晶10位于暂存容器20中的俯视图;
图4是本发明实施例一印刷步骤的侧视剖视图;
图5是本发明实施例一贴装步骤中真空吸嘴70将裸晶10取出暂存容器20的状态图;
图6是本发明实施例一贴装步骤中,真空吸嘴70将裸晶10与基板30的焊盘31位置相互对其的状态图;、
图7是本发明实施例一贴装步骤中,裸晶10依靠焊锡膏50张力暂时固定于基板30上的状态图;
图8是本发明实施例一焊接步骤完毕的侧视剖视图。
图9是本发明实施例二其裸晶10的侧视图;
图10是本发明实施例二裸晶10置于暂存容器20中侧视剖视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造