[发明专利]内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法

权利要求书

1.一种内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：

（1）初始化所述的晶体振荡器的内部负载电容；

（2）确定所述的晶体振荡器的频率精度温度特性曲线；

（3）根据所述的频率精度温度特性曲线计算全温度范围内的晶体振荡器补偿数据；

（4）将选定的多个温度点的补偿数据写入所述的晶体振荡器内；

（5）检测所述的多个温度点的频率精度，并判断是否满足预设的精度要求，若是，则进入步骤（8），若否，则进入步骤（6）；

（6）重新进行所述的步骤（1）至步骤（4），并检测多个温度点的频率精度，判断是否满足预设的精度要求，若是，则进入步骤（8），若否，则进入步骤（7）；

（7）确定所述的晶体振荡器为不良品，结束本方法；

（8）确定所述的晶体振荡器为良品，结束本方法。

2.根据权利要求1所述的内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其特征在于，所述的步骤（1）具体包括以下步骤：

（11）根据所述的晶体振荡器负载电容参数，确定内部负载电容的大小；

（12）在常温下检测晶体振荡器的频率精度，判断是否满足预设的精度要求，若是，则进入步骤（2），若否，则返回步骤（1）。

3.根据权利要求1所述的内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其特征在于，所述的确定所述的晶体振荡器的频率精度温度特性曲线，具体为：

采用相同晶体振荡器已知的频率精度温度特性曲线。

4.根据权利要求1所述的内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其特征在于，所述的步骤（2）具体包括以下步骤：

（21）检测多个温度点的频率精度，并判断各温度点的频率精度是否满足预设的精度要求，若是，则进入步骤（22），若否，则返回步骤（1）；

（22）根据所述的各个温度点的频率精度拟合该晶体振荡器的频率精度温度特性曲线。

5.根据权利要求4所述的内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其特征在于，所述的多个温度点至少包括一个高温温度点和一个低温温度点。

6.根据权利要求4所述的内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其特征在于，所述的预设的精度要求为频率偏差小于2ppm。

7.根据权利要求4所述的内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其特征在于，所述根据所述的各个温度点的频率精度拟合该晶体振荡器的频率精度温度特性曲线，具体为：根据下式获得频率精度温度特性曲线公式：

y=a(x-t)²+k

=ax²-2atx+at²+k

其中，t为温度，k为温度漂移，a为晶体振荡器系数。