[发明专利]内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构

权利要求书

1.一种内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，其特征在于，该电路结构包括：

石英晶体振荡器；

晶体振荡器电路模块，连接于所述的石英晶体振荡器，产生时钟信号；

温度传感器电路模块，检测环境温度，产生相应的电压信号；

模数转换器电路模块，连接于所述的温度传感器电路模块，将所述的温度传感器电路模块产生的电压信号转换为数字信号输出；

EEPROM储存器，连接于所述的模数转换器电路模块的数字信号输出端，用以存储该石英晶体振荡器的频率校准信息，并根据温度检测的结果自动选择频率校准信息；

模拟校准电路模块，连接于所述的EEPROM储存器的输出端，并连接所述的晶体振荡器电路模块的输入端，根据EEPROM储存器输出的频率校准信息对所述的晶体振荡器电路模块进行模拟校准；

计时器电路模块，连接所述的晶体振荡器电路模块的输出端，根据所述的晶体振荡器电路模块输出的时钟信号进行分频将产生秒脉冲信号；

数字校准电路模块，连接于所述的EEPROM储存器的输出端，并连接于所述的计时器电路模块的输入端，根据EEPROM储存器输出的频率校准信息对所述的计时器进行数字校准；

万年历电路模块，连接于所述的计时器的输出端。

2.根据权利要求1所述的内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括寄存器电路模块，所述的寄存器电路模块分别连接所述的EEPROM储存器和所述的数字校准电路模块。

3.根据权利要求2所述的内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，其特征在于，所述的寄存器电路模块包括数字校准寄存器和老化校准寄存器，所述的数字校准寄存器和老化校准寄存器均分别连接所述的EEPROM储存器和所述的数字校准电路模块。

4.根据权利要求2所述的内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括串行接口，所述的串行接口分别连接所述的模数转换器电路模块、EEPROM储存器、万年历电路模块和寄存器电路模块。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，其特征在于，所述的石英晶体振荡器为音叉型32.768kHz石英晶体振荡器。

6.根据权利要求5所述的内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括设置于所述的晶体振荡器电路模块输出端的32.768kHz时钟信号输出引脚以及设置于所述的计时器电路模块输出端的1Hz时钟信号输出引脚。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，其特征在于，所述的温度传感器电路模块为负温度特性温度传感器，该负温度特性温度传感器包括固定工作电流偏置的二极管和PNP晶体管，所述的二极管连接于所述的PNP晶体管的Vbe结电压。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，其特征在于，所述的模数转换器电路模块为逐次逼近型模数转换器电路模块。