[发明专利]具有灵活读/写辅助的存储单元及其使用方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

至少一个存储单元管芯，所述至少一个存储单元管芯包括：

数据存储单元；

至少一个读辅助使能单元，电连接至所述数据存储单元，所述至少一个读辅助使能单元被配置为降低字线的电压；以及

至少一个写辅助使能单元，电连接至所述数据存储单元，所述至少一个写辅助使能单元被配置为向位线或位线条中的至少一个提供负电压。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个读辅助使能单元包括熔丝。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个写辅助使能单元包括熔丝。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个读辅助使能单元包括开关。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个写辅助使能单元包括开关。

6.一种半导体晶片，包括：

多个管芯，所述多个管芯的每一个都包括：

数据存储单元；

至少一个读辅助使能单元，电连接至所述数据存储单元，所述至少一个读辅助使能单元被配置为降低字线的电压；以及

至少一个写辅助使能单元，电连接至所述数据存储单元，所述至少一个写辅助使能单元被配置为向位线或位线条中的至少一个提供负电压。

7.根据权利要求6所述的半导体晶片，还包括：

从所述多个管芯中选择的至少一个第一管芯，其中，针对所述至少一个第一管芯激活所述至少一个读辅助使能单元；以及

从所述多个管芯中选择的至少一个第二管芯，其中，针对所述至少一个第二管芯激活所述至少一个写辅助使能单元。

8.根据权利要求7所述的半导体晶片，其中，所述至少一个第一管芯的数量与所述至少一个第二管芯的数量相加少于所述多个管芯中的管芯的数量。

9.一种启动读辅助或写辅助的方法，包括：

形成至少一个存储单元管芯，存储单元管芯包括：

数据存储单元；

至少一个读辅助使能单元，电连接至所述数据存储单元，所述至少一个读辅助使能单元被配置为降低字线的电压；和

至少一个写辅助使能单元，电连接至所述数据存储单元，所述至少一个写辅助使能单元被配置为向位线或位线条中的至少一个提供负电压；

确定所述至少一个存储单元管芯的性能；以及

基于所述至少一个存储单元管芯的性能选择性地激活所述至少一个读辅助使能单元或所述至少一个写辅助使能单元中的至少一个。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，测试所述至少一个存储单元管芯包括：确定字线的电压，并且基于所述字线的确定电压激活所述至少一个读辅助使能单元。