[发明专利]一种金属硅化物的形成方法

权利要求书

1.一种金属硅化物的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述衬底上包含至少一个位于核心区域的金属栅极、至少一个位于I/O区域的多晶硅栅极以及位于上述栅极之间的第一层间介质层；

在所述衬底上形成图案化的接触沟槽掩膜层；

以所述接触沟槽掩膜层为掩膜，蚀刻所述第一层间介质层，以在所述金属栅极和所述多晶硅栅极两侧的有源区形成接触沟槽，以露出所述衬底和所述多晶硅栅极；

去除所述接触沟槽掩膜层；

在所述露出的衬底上以及所述多晶硅栅极上形成金属硅化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述衬底上沉积第二层间介质层并平坦化的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

蚀刻所述第二层间介质层，以形成接触孔并露出所述金属硅化物；

采用金属材料填充所述接触孔，以形成接触塞，实现电连接。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个金属栅极包括至少一个PMOS金属栅极和至少一个NMOS金属栅极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述PMOS金属栅极和所述NMOS金属栅极两侧的有源区形成相同的金属硅化物。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述PMOS金属栅极和所述NMOS金属栅极两侧的有源区形成不同的金属硅化物。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成图案化的接触沟槽掩膜层；以所述接触沟槽掩膜层为掩膜，蚀刻所述第一层间介质层，以在所述金属栅极和所述多晶硅栅极两侧的有源区形成接触沟槽的步骤包括：

在所述衬底上形成一界面层，在所述界面层上形成图案化的第一接触沟槽掩膜层；

以所述第一接触沟槽掩膜层为掩膜，蚀刻所述界面层、第一层间介质层，以在所述NMOS金属栅极两侧的有源区形成接触沟槽；

去除所述第一接触沟槽掩膜层；

在NMOS金属栅极两侧的有源区上形成第一金属硅化物；

沉积一牺牲层并平坦化，以填充所述接触沟槽并覆盖所述界面层；

在所述牺牲层上形成第二接触沟槽掩膜层；

以所述第二接触沟槽掩膜层为掩膜，蚀刻所述牺牲层、所述界面层和所述第一层间介质层，以在所述PMOS金属栅极和所述多晶硅栅极两侧的有源区形成接触沟槽并露出所述多晶硅栅极；

去除所述第二接触沟槽掩膜层；

在所述PMOS金属栅极和所述多晶硅栅极两侧的有源区上以及多晶硅栅极上形成第二金属硅化物；

去除所述牺牲层、界面层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述牺牲层、界面层选用高含量的SiARC层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物中的金属为钨，钛，钴，镍，铝，钇，镱和铒中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物中的金属为镍。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅栅极上和金属栅极两侧的有源区上同时形成金属硅化物。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物的厚度为60-250埃。

13.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，不设置介质蚀刻停止层，直接蚀刻所述第二层间介质层，以露出所述金属硅化物。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物形成过程中接触沟槽的高宽比为0.8-1.2。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层间介质层为氧化物。