[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造半导体器件的方法。

背景技术

对电子半导体器件和集成电路（IC）的多数应用而言，有利的是分别限制半导体器件和集成电路的总体厚度。例如，轻重量和小尺寸对芯片卡和智能卡具有重要意义。同样地，器件（诸如垂直功率半导体元件）的电气性能可通过具体调节半导体主体的厚度得到提高。通过使半导体主体的厚度与相应的功率半导体元件的电压等级相匹配，可以防止特大（oversized）半导体主体的不期望的电阻。

因此，期望对半导体主体的厚度进行精确可靠的调节，以避免产量损失并分别确保半导体器件和集成电路的可靠电气特性。

发明内容

根据制造半导体器件的方法的一个实施方式，该方法包括在半导体主体的表面上形成多孔区。半导体主体包括位于多孔区中的多孔结构。该方法还包括在多孔区上形成半导体层并在半导体层中形成半导体区域。该方法还包括将半导体层与半导体主体沿着多孔区分离。将半导体层与半导体主体分离包括通过热处理在多孔区内引入氢。

在阅读下面的详细说明并看过附图之后，本领域技术人员将会认识到其他的特征和优势。

附图说明

附图被包括进来以提供对本发明的进一步了解，附图包含在该说明书中并构成说明书的一部分。附图示出了本发明的实施方式，并与说明一起用于解释本发明原理。本发明的其他实施方式以及本发明的许多潜在优势将更容易意识到，因为从下面的详细说明中更容易理解。附图中的元件不一定互相成比例绘制。相同的参考标号表示对应的类似部件。所示各个实施方式的特征可以互相结合，除非它们互相排斥。

实施方式在附图中示出并在随后的说明中进行详细说明。

图1A至图1E示出了应用根据一个实施方式的制造方法的半导体主体的横截面的示意图。

图2A和图2B示出了经历根据实施方式的制造方法的半导体主体的横截面的示意图。

具体实施方式

在下面的详细说明中，参考构成说明书一部分的附图，附图以图解的方式示出实践本发明的具体实施方式。在这方面，诸如“顶部”、“底部”、“正面”、“背面”、“头部”、“尾部”、“在...上方”、“上方”、“下方”等方向性术语参考正在说明的附图的方向来使用。例如，作为一个实施方式的一部分而示出或说明的特征可用于其他实施方式或与其他实施方式相结合进而形成另一个实施方式。按照设计思路，本发明包括这类修改和变型。使用特定语言来说明实例，这不应理解为限制所附权利要求的范围。附图不按比例绘制，并且只用于说明的目的。为了清楚起见，如果没有另外声明，不同附图中的相同元件或制造过程由相同的参考标号表示。

本说明书中所用的术语“横向”和“水平”旨在说明与半导体衬底或半导体主体的第一表面平行的方向。例如，这可能是晶片或晶圆的表面。本说明书中所用的术语“垂直”旨在说明布置为与半导体衬底或半导体主体的第一表面垂直的方向。

下面参考附图说明示例性实施方式。然而，本发明不限于详细说明的实施方式，而是能够以适当的方式进行修改和变型。只要不明显地互相排斥，一个实施方式的具体特征和特征的组合可以恰当地与另一个实施方式的特征和特征的组合相结合。

图1A至图1D示出了制造方法的不同阶段期间的半导体器件的横截面的示意图。

图1A的示意性横截面示出了半导体主体100。根据一个实施方式，半导体主体100包含硅（Si）或由硅制成。根据另一个实施方式，半导体主体100包含碳化硅（SiC）或由碳化硅制成。通常，Si和SiC半导体主体由单晶材料制成，但是半导体主体也可以包含多晶或非晶态材料部件。

参考图1B的示意性横截面，通过将半导体主体100在第一表面的晶体结构从例如单晶或多晶结构变为多孔结构，在半导体主体100的第一表面处形成多孔区101。于是，半导体主体100包括位于多孔区101中的多孔结构。多孔区101中的多孔结构可通过使用一种或多种含有氟化物（F）的溶液对Si或SiC进行阳极氧化而制成。作为一个实例，使用含有氢氟酸（HF）和乙醇或乙酸的溶液。通过选择性地使用或避免外部光源，也可以采用配置为将晶体结构变为多孔结构的其他溶液（例如，HF/二甲基甲酰胺和HF/乙腈（acenitrile）等）。