[发明专利]力传感器

权利要求书

1.力传感器（10），具有：

载体（20），其具有前侧（25）和背侧（28），

半导体本体（30），其具有表面（35）和背面（38）和构造在所述半导体本体（30）的所述表面（35）上的压阻元件（40），其中，所述半导体本体（30）与所述载体（20）力锁合地连接，

第一翼部（50），其构造在所述半导体本体（30）的表面上并且具有上侧（35）和下侧（38），其中，所述第一翼部（50）能够基本上沿着所述半导体本体（30）的所述表面（35）的法向量弹性运动，并且所述第一翼部（50）与所述半导体本体（30）力锁合地连接以及所述半导体本体（30）在所述第一翼部（50）运动时被构造为支座，并且在所述第一翼部（50）上构造有第一力导入区域（59），

其特征在于，

与所述第一翼部（50）相对置地设置的第二翼部（60）构造有第二力导入区域（69），并且

所述压阻元件（40）设置在所述第一翼部（50）与所述第二翼部（60）之间，并且

设置有与所述第一力导入区域（59）和所述第二力导入区域（69）力锁合地连接的、桥状构造的力分布装置（70），其中，所述力分布装置（70）具有与所述半导体本体（30）的所述表面（35）背离的第一面，所述第一面具有第三力导入区域（79）。

2.根据权利要求1所述的力传感器（10），其特征在于，所述第一翼部（50）和所述第二翼部（60）具有基本上相同的外部构型，并且所述第一力导入区域（59）设置在所述第一翼部（50）的外端部上并且所述第二力导入区域（69）设置在所述第二翼部（60）的外端部上。

3.根据权利要求1或2所述的力传感器（10），其特征在于，所述第三力导入区域（79）居中地构造在所述第一力导入区域（59）与所述第二力导入区域（69）之间，并且所述第三力导入区域（79）具有用于容纳力导入装置（80）的成形部。

4.根据权利要求3所述的力传感器（10），其特征在于，所述力导入装置（80）球形地构造并且由钢制成。

5.根据以上权利要求中任一项所述的力传感器（10），其特征在于，所述力分布装置（70）的抗弯强度大于所述第一翼部（50）的抗弯强度和所述第二翼部（60）的抗弯强度。

6.根据以上权利要求中任一项所述的力传感器（10），其特征在于，所述力分布装置（70）具有梁状构造的区域。

7.根据以上权利要求中任一项所述的力传感器（10），其特征在于，在所述力分布装置（70）与所述第一力导入区域（59）和所述第二力导入区域（69）之间分别构造有一个中间件（100）。

8.根据以上权利要求中任一项所述的力传感器（10），其特征在于，所述半导体本体（30）的位于所述第一翼部（50）与所述第二翼部（60）之间的部分被构造为无支承的板状结构并且容纳所述压阻元件（40）。

9.根据权利要求8所述的力传感器（10），其特征在于，所述板状结构在两个彼此对置的侧上与设置在所述无支承的结构外部的半导体本体（30）连接，并且所述第一翼部（50）和所述第二翼部（60）以及所述无支承的结构形成十字形布置。

10.根据权利要求8所述的力传感器（10），其特征在于，所述第一翼部（50）和所述第二翼部（60）位于所述载体（20）上。

11.根据以上权利要求中任一项所述的力传感器（10），其特征在于，所述第一翼部（50）和所述第二翼部（60）以及所述半导体本体（30）一体地构造。

12.根据以上权利要求中任一项所述的力传感器（10），其特征在于，所述第一翼部（50）的下侧和所述第二翼部（60）的下侧与所述载体（20）的距离用作相应的翼部（50，60）的偏转的限制。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的力传感器（10），其特征在于，在所述力分布装置（70）上设置有成形部，并且借助于所述成形部限制所述第一翼部（50）的偏转。

14.根据以上权利要求中任一项所述的力传感器（10），其特征在于，所述力分布装置（70）包括硅。

15.根据以上权利要求中任一项所述的力传感器（10），其特征在于，在所述半导体本体（30）的所述表面（35）上在离开所述第一翼部（50）的地方和在离开所述第二翼部（60）的地方构造有集成电路并且所述集成电路具有与所述压阻元件（40）的电有效连接。