[发明专利]一种产生参考电流的CMOS电路无效
申请号: | 201210338018.3 | 申请日: | 2012-09-13 |
公开(公告)号: | CN103677035A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 周晓东;桑园;吴勇 | 申请(专利权)人: | 郑州单点科技软件有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 产生 参考 电流 cmos 电路 | ||
1.一种产生参考电流的CMOS电路,其特征在于,该电路包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第六NMOS管(N6)和电阻(R);
所述第一PMOS管(P1)的源极接电压源(VDD),栅极接地,漏极与第一NMOS管(N1)的栅极和第二NMOS管(N2)的漏极连接;第二PMOS管(P2)的源极通过电阻(R)连接电压源(VDD),栅极与第四PMOS管(P4)的栅极和漏极、第五PMOS管(P5)的漏极、第一NMOS管(N1)的漏极连接,漏极与第三PMOS管(P3)的源极连接;第三PMOS管(P3)的栅极与第五PMOS管(P5)的栅极和漏极、第五NMOS管(N5)的漏极连接,漏极与第三NMOS管(N3)的漏极和栅极、第五NMOS管(N5)的栅极连接;第四PMOS管(P4)的源极与电压源(VDD)连接;
所述第一NMOS管(N1)的源极接地;第二NMOS管(N2)的源极接地,栅极与第三NMOS管(N3)的源极、第四NMOS管(N4)的栅极和漏极、第六NMOS管(N6)的栅极连接;第四NMOS管(N4)的源极接地;第六NMOS管(N6)的源极接地,漏极连接第五NMOS管(N5)的源极。
2.根据权利要求1所述的产生参考电流的CMOS电路,其特征在于,所述第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)和第五PMOS管(P5)为参数相同的PMOS管。
3.根据权利要求1所述的产生参考电流的CMOS电路,其特征在于,所述第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)和第六NMOS管(N6)为参数相同的NMOS管。
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