[发明专利]一种批量制备纯相AlON透明陶瓷粉体的方法有效

专利信息
申请号: 201210338387.2 申请日: 2012-09-13
公开(公告)号: CN102838355A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 单英春;徐久军 申请(专利权)人: 大连海事大学
主分类号: C04B35/626 分类号: C04B35/626;C04B35/58
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 赵淑梅;李馨
地址: 116026 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 批量 制备 alon 透明 陶瓷 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种批量制备纯相AlON透明陶瓷粉体的方法,属于透明陶瓷粉体制备技术领域。

背景技术

氮氧化铝(AlON)作为A1N-Al2O3二元体系相图中的一个稳定的单相固溶体,具有各向同性的立方结构,通过高温烧结可制成AlON透明陶瓷。AlON在宽的波段(紫外可见-红外)具有良好的透过率,且具有优异的物理和化学性质,同时AlON还具有多晶陶瓷在材料制备方面的优势,因而是优选的光学窗口材料,在军民领域都有着广阔的应用前景。

合成AlON粉体的相组成、粒度和形貌等特性对后续成型、烧结和产品的性能有着重要的影响。因此制备高纯、细颗粒、窄分布和性能稳定的AlON陶瓷粉末是制备性能优良AlON陶瓷的先决条件。

高温固相反应和还原氮化法是目前制备AlON粉体的两类主要方法。其中固相反应法虽工艺简单,但由于其要求原料AlN和Al2O3粉必须高纯超细,而目前高纯AlN主要依赖进口,价格昂贵。与之相比还原氮化铝法的主要原料Al2O3性能稳定且价格便宜,还原剂可以是C、Al、NH3、H等,在这些还原剂中,C的产品质量稳定可靠,且以C作为还原剂的还原氮化反应工艺可控性好,同时安全、环保等方面也非常好,因此碳热还原氮化法制备高纯、超细AlON粉具有非常好的应用前景,该工艺的优点是原料成本低、纯度高、粒度小,易实现批量化生产。

美国专利US Pat.No.4,686,070报道了一种碳热还原氮化两步法合成氮氧化铝粉末的方法,其还原剂是炭黑,Al2O3纯度99.98%,平均粒径0.06μm,炭黑平均粒径0.027μm。张芳等人(AlON粉体制备及透明陶瓷的烧结,稀有金属材料与工程,2009,vol.38,suppl.2:403-406)以Al2O3和活性炭为原料获得了可制备AlON透明陶瓷的AlON粉体,但该粉体经高温长时间烧结后制备的透明陶瓷透过率不高。刘学建等人(碳热还原氮化工艺制备AlON透明陶瓷,无机材料学报,2010,Vol.25No.7:678-682)以Al2O3和纳米炭为原料的研究表明CTRN在满足热力学条件下,动力学因素也具有重要作用。田庭燕等(碳热还原法合成AlON粉体的研究,硅酸盐通报,2009,Vol.28,No.5:1093-1096)以平均颗粒尺寸为0.4-1.5μm的Al2O3为原料制备AlON透明陶瓷粉体,研究表明只有活性炭含量为5.6wt%时获得了相组成是单相AlON的粉体,而当活性炭含量为5.5wt%和5.7wt%时粉体中都有第二相存在,所制备的AlON粉体经快速球磨后粒度分布范围较宽(0.5-10μm)。中国专利201010190470.0报道了一种超细、高纯γ-AlON透明陶瓷粉末的制备方法,其以Al2O3和纳料级炭黑或纳米竹碳粉为原料,在1700-1800℃保温2-6h制备了AlON透明陶瓷粉末,由于烧结温度较高、保温时间较长易使粉体过度氮化形成AlN,且其除碳温度较高、时间较长,易使AlON粉氧化,使用该粉体制备的透明陶瓷性能未有说明。

除上述碳热还原AlON粉体的制备方法外,中国专利201110041724.7报道了一种化学共沉淀碳热还原法制备γ-AlON粉末的方法,国内的另一发明专利200910061558.X也报道了一种基于碳热还原法制备AlON陶瓷粉未的方法,其要求升温速率太快,由于设备的限制,不利于工业化生产。

发明内容

针对上述制备纯相AlON透明陶瓷粉体存在的问题,本发明以纳米Al2O3和活性炭为原料,在行星式球磨机上低转速混合原料,并在电热板上快速烘干料浆,采用分区布料及预置气孔技术装粉,结合低温快速除碳工艺制备纯相AlON透明陶瓷粉体,所得到的AlON粉体不同区域相组成稳定、均匀性好,适合批量生产,且以其为原料可在较低温度下、较短时间内烧结获得具有高透过率的AlON透明陶瓷,表明采用本发明的方法制备的AlON粉体烧结活性非常好,且适合用于制备AlON透明陶瓷。

一种批量制备纯相AlON透明陶瓷粉体的方法,包括下述工艺步骤:

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