[发明专利]一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构

权利要求书

1.一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述直流输电主电路结构包括单极运行结构和双极运行结构；所述单极运行结构和双极运行结构包括谐振环节和整流环节；所述谐振环节包括谐振升压环节和谐振降压环节；所述谐振升压环节和整流环节连接后，与谐振降压环节通过直流电缆或直流输电线路连接；

所述谐振升压环节和整流环节连接后的结构包括单一谐振升压结构、谐振升压串联结构和谐振升压并联结构；谐振降压环节包括单一谐振降压结构、谐振串联降压结构和谐振并联降压结构。

2.如权利要求1所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述单极运行方式中谐振升压环节结构包括单一谐振升压结构I、谐振升压环节串联结构I和谐振升压环节并联结构I；所述单极运行方式中谐振降压环节结构包括单一谐振降压结构II、谐振降压环节串联结构II和谐振降压环节并联结构II。

3.如权利要求2所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述单一谐振升压结构I包括单一谐振升压环节单元I和整流环节I；

单一谐振升压环节单元I包括直流电源DC1、低压大电容C10、高压小电容C11、晶闸管T11、晶闸管T13和谐振电抗器L11；所述低压大电容C10、晶闸管T11、谐振电抗器L11和高压小电容C11依次连接；所述直流电源DC1并联在低压大电容C10两端；所述晶闸管T13并联在高压小电容C11与谐振电抗器L11两端；

整流环节I包括半波整流桥D11、平波电抗器L12、支撑电容器C12和续流二极管D12；其中半波整流桥D11、平波电抗器L12与支撑电容器C12依次连接；所述续流二极管D12并联在平波电抗器L12及支撑电容器C12两端。

4.如权利要求2所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述谐振升压环节串联结构I包括至少两个单一谐振升压结构I串联；其中两个单一谐振升压结构I分别为单一谐振升压环节单元II连接整流环节II和单一谐振升压环节单元III连接整流环节III。

5.如权利要求4所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述单一谐振升压环节单元II包括直流电源DC5、低压大电容C50、高压小电容C51、晶闸管T51、晶闸管T53和谐振电抗器L51；所述低压大电容C50、晶闸管T51、谐振电抗器L51和高压小电容C51依次连接；所述直流电源DC5并联在低压大电容C50两端；所述晶闸管T53并联在高压小电容C51与谐振电抗器L51两端；

所述整流环节II包括半波整流桥D51、平波电抗器L52、支撑电容器C52和续流二极管D52；其中半波整流桥D51、平波电抗器L52与支撑电容器C52依次连接；所述续流二极管D52并联在平波电抗器L52及支撑电容器C52两端。

6.如权利要求4所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述单一谐振升压环节单元III包括直流电源DC7、低压大电容C70、高压小电容C71、晶闸管T71、晶闸管T73、谐振电抗器L71；所述低压大电容C70、晶闸管T71、谐振电抗器L71和高压小电容C71依次连接；所述直流电源DC7并联在低压大电容C70两端；所述晶闸管T73并联在高压小电容C71与谐振电抗器L71两端；

所述整流环节III包括半波整流桥D71、平波电抗器L72、支撑电容器C72和续流二极管D72；其中半波整流桥D71、平波电抗器L72与支撑电容器C72依次连接；所述续流二极管D72并联在平波电抗器L72及支撑电容器C72两端。

7.如权利要求5和6中任一项所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述支撑电容器C52和支撑电容器C72串联。

8.如权利要求2所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述谐振升压环节并联结构I包括至少两个谐振升压环节单元并联和一个整流环节IV，其中两个谐振升压环节单元分别为谐振升压环节单元IV和谐振升压环节单元V。