[发明专利]显示装置及电子装置

说明书

本申请是分案申请，其原案申请的申请号为200910261339.6，申请日为2009年12月21日，发明名称为“显示装置及电子装置”。

技术领域

本发明涉及显示装置及电子装置，具体而言，涉及平面型或平板型显示装置（其中，以行和列（即，矩阵）的形式二维排列每个都包括电光学元件的多个像素）以及结合了所述显示装置的电子装置。

背景技术

近年来，在用于显示图像的显示装置领域，以行和列的方式配置了每个都包括发光元件的多个像素或像素电路的平面型显示装置已经快速普及。这种平面型显示装置的其中一个使用发光亮度响应于流经所述元件的电流值而改变的电流驱动型电光学元件作为像素的发光元件。就电流驱动型电光学元件而言，利用当被施加电场时有机薄膜发光现象的有机EL（场致发光）元件被众所周知。

使用有机EL元件作为像素的电光学元件的有机EL显示装置具有下面的特性。具体地，有机EL元件因为其能够通过等于或低于10V的应用电压被驱动而具有低功率消耗特性。由于有机EL元件为自发光元件，所以有机EL显示装置与通过对每个像素使用液晶而控制来自光源的光强度来显示图像的液晶显示装置相比显示了高可视性的图像。此外，由于有机EL元件不需要诸如背光的光源，所以有利于减小有机EL显示装置的重量及厚度。此外，由于响应速度为近似几μ秒高，所以在动态图片显示时不会出现余像。

类似于液晶显示装置，有机EL显示装置能够采用简单或无源矩阵型或有源矩阵型作为其驱动方法。但是，尽管简单的矩阵型显示装置在结构上简单，但是其具有一个缺点，即，因为每个电光学元件的发光期间随着扫描线数（即，像素数）增加而减小，所以很难实现大尺寸高清晰度的显示装置。

因此，近年来，已经并正在进行提供了诸如绝缘栅极型场效应晶体管的电光学元件的有源矩阵显示装置（其中，通过在像素中所提供的有源元件来控制流入电光学元件的电流）的开发。就绝缘栅极型场效应晶体管而言，广泛使用薄膜晶体管（TFT）。因为电光学元件在整个一个帧期间内持续发光，所以很容易实现作为大尺寸和高清晰度的显示装置的有源矩阵显示装置。

另外，众所周知，随着时间流逝，有机EL元件的I－V特性（即，电流－电压特性）像所知的时间劣化一样地发生劣化。在具体使用N沟道型TFT作为用于通过电流驱动有机EL元件的晶体管（下文中，这种晶体管被称作驱动晶体管）的像素电路中，如果有机EL元件的I－V特性经受时间劣化，则随后，驱动晶体管的栅源电压Vgs产生变化。结果，有机EL元件的发光亮度产生变化。这是由于有机EL元件被连接至驱动晶体管的源电极侧的事实。

更加具体的描述这种情况。驱动晶体管的源电位依赖于驱动晶体管和有机EL元件的工作点。如果有机EL元件的I－V特性劣化，则随后，驱动晶体管和有机EL元件的工作点发生变化。因此，即使相同的电压被施加于驱动晶体管的栅极，驱动晶体管的源电位也会改变。因此，驱动晶体管的源栅电压Vgs发生变化，并且流入驱动晶体管的电流值改变。结果，由于流入有机EL元件的电流值也发生变化，所以有机EL元件的发光亮度产生变化。

此外，特别是在使用多晶硅TFT的像素电路中，除了有机EL元件的I－V特性的时间劣化之外，驱动晶体管的晶体管特性随时间的流逝而变化，或者由于制造处理的分散性，不同像素中的晶体管特性不同。换句话说，各个像素中的驱动晶体管的晶体管特性分散。晶体管特性可以为驱动晶体管的阈值电压Vth、形成驱动晶体管沟道的半导体薄膜的迁移率μ（下文中，这种迁移率μ被简单称作“驱动晶体管的迁移率μ”）或其它一些特性。

在不同像素中的驱动晶体管的晶体管特性不同的情况下，由于这引起了流入多个像素中的驱动晶体管的电流值的分散，所以即使相同的电压被施加于多个像素中的驱动晶体管的栅极，在多个像素中的有机EL元件的发光亮度也会出现分散。结果，破坏了画面图像的均一性。

因此，为了保持有机EL元件的发光亮度固定，不会如所披露（例如，在日本专利公开第2007-310311号中）的一样被有机EL元件的I－V特性的时间劣化或驱动晶体管的晶体管特性的时间劣化影响，为像素电路提供各种校正或补偿功能。

校正功能可以包括用于有机EL元件的I－V特性变化的补偿功能、对于驱动晶体管的阈值电压Vth差异的校正功能、用于驱动晶体管迁移率μ差异的校正功能及其它一些功能。在下面所给出的描述中，对于驱动晶体管阈值电压Vth的变化的校正被称作“阈值校正”，并且对于驱动晶体管迁移率μ的校正被称作“迁移率校正”。