[发明专利]用于转换功率的方法和系统

权利要求书

1. 一种功率转换系统(100)，包括:

耦合于电源(102)的第一转换器(104)，其中所述第一转换器包括输入侧(114)和与所述输入侧电隔离的输出侧(118)；

耦合于所述电源的第二转换器(106)，其中所述第二转换器包括输入侧(116)和与所述输入侧电隔离的输出侧(120)，所述第二转换器输入侧与所述第一转换器输入侧并联耦合，并且所述第二转换器输出侧与所述第一转换器输出侧串联耦合；以及

耦合于所述第一转换器输出侧和所述第二转换器输出侧的逆变器(122)，其中所述逆变器将交流电供应给配电网络(128)。

2. 如权利要求1所述的功率转换系统(100)，其中所述逆变器(122)是H桥逆变器。

3. 如权利要求1所述的功率转换系统(100)，其中所述第一转换器(104)是包括第一变压器(202)的回扫转换器，并且其中所述第一变压器包括一次绕组(204)和二次绕组(206)。

4. 如权利要求3所述的功率转换系统(100)，其中所述第二转换器(106)是包括第二变压器(236)的回扫转换器，并且其中所述第二变压器包括一次绕组(238)和二次绕组(240)。

5. 如权利要求4所述的功率转换系统(100)，其中所述第一转换器二次绕组(206)与所述第二转换器二次绕组(240)串联耦合。

6. 如权利要求4所述的功率转换系统(100)，其中所述第一转换器(104)包括第一开关器件(208)并且所述第二转换器(106)包括第二开关器件(242)，其中所述第一开关器件和所述第一变压器一次绕组(204)与所述第二开关器件和所述第二变压器一次绕组(238)并联耦合。

7. 如权利要求6所述的功率转换系统(100)，其中所述第一开关器件(208)和所述第二开关器件(242)包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(214)。

8. 如权利要求6所述的功率转换系统(100)，其中所述第一开关器件(208)和所述第二开关器件(242)采用交错模式开关。

9. 如权利要求6所述的功率转换系统(100)，其中所述第一转换器(104)包括第一谐振电路(404)，其使所述第一转换器开关器件(208)能够在跨过所述第一转换器开关器件的电压的过零点开关。

10. 如权利要求9所述的充功率转换系统(100)，其中所述第二转换器(106)包括第二谐振电路(420)，其使所述第二转换器开关器件(242)能够在跨过所述第二转换器开关器件的电压的过零点开关。