[发明专利]PH传感器及制造方法

权利要求书

1.一种pH传感器，包括：

载体(10)，所述载体包括多个导电迹线和外露的导电区域(40)，所述外漏的导电区域定义了与所述导电迹线之一相连的参考电极；

感测装置(30)，安装在所述载体上并且与其他导电迹线中的至少一个相连；

覆盖所述载体的封装(20)，所述封装包括使所述感测装置的表面(32)外露的第一腔体(22)以及使所述外露的导电区域外露的第二腔体(24)，所述第二腔体包括参考电极材料(42)和与所述参考电极材料共享至少一种离子类型的离子储存材料(44)，所述参考电极材料夹在所述外露的导电区域与所述离子储存材料之间。

2.根据权利要求1所述的pH传感器，还包括所述第二腔体上方的不可透过层(46、48)，所述不可透过层对离子储存材料(44)中的离子类型是不可透过的。

3.根据权利要求1或2所述的pH传感器，还包括：

第一接触焊盘(16)，经由其他所述导电迹线(12)之一与所述感测装置(30)相连；以及

第二接触焊盘，经由所述导电迹线之一与外露的导电区域(40)相连。

4.根据权利要求1或2所述的pH传感器，其中所述感测装置(30)包括收发器，所述pH传感器还包括在所述载体(10)上的天线(50)，所述天线与其他所述导电迹线(12)中的所述至少一个相连。

5.根据权利要求4所述的pH传感器，其中所述外露的导电区域(40)经由所述导电迹线之一(12’)连接至所述感测装置(30)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的pH传感器，其中所述封装(20)还包括流体通道(26)，所述流体通道从所述封装的边缘横向延伸至所述第二腔体(24)。

7.根据权利要求6所述的pH传感器，其中所述封装(20)还包括另一个流体通道(28)，所述另一个通道从所述边缘横向延伸至所述第一腔体(22)。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的pH传感器，其中所述载体(10)是印刷电路板。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的pH传感器，其中所述感测装置(30)包括离子敏感场效应晶体管，其栅极(32)外露在所述第一腔体(22)中。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的pH传感器，还包括锐利的尖端(21)，用于将所述pH传感器插入物质中。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的pH传感器，其中所述外露的导电区域(40)包括镀金铜层。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的pH传感器，其中所述参考电极材料包括Ag和AgCl以及所述离子储存材料包括氯离子。

13.根据权利要求12所述的pH传感器，还包括所述第二腔体上方的离子选择膜(46、48)，所述膜对离子储存材料(44)中的离子类型是不可透过的。

14.一种制造根据权利要求1至13中任一项所述的pH传感器的方法，包括：

提供载体，在其表面上有多个导电迹线，与所述导电迹线之一相连的外露的导电区域以及另一个外露的导电区域；

将集成电路管芯固定至所述另一个外露的导电区域，所述集成电路管芯包括外露的对pH敏感的表面；

将所得到的结构封装在保护性树脂中；

在所述保护性树脂中形成第一腔体和第二腔体，所述第一腔体使所述对pH敏感的表面外露以及所述第二腔体使所述外露的导电区域外露；

在所述外露的导电区域上沉积参考电极材料；以及

在所述参考电极材料上沉积离子储存材料(44)，所述离子储存材料与所述参考电极材料共享至少一种离子类型。

15.根据权利要求14所述的方法，其中同时执行所述封装步骤和所述腔体形成步骤。