[发明专利]一种超低氧铬片的制备方法

权利要求书

1.一种超低氧铬片的制备方法，其特征在于：所述制备方法以纯度大于等于99.95%的电解铬片为原料，通过氢气还原法制备得到所述超低氧铬片，所述制备方法包括依次进行的下列步骤：

（1）、将所述电解铬片加入到还原炉内的氧化铝坩埚中，至电解铬片上表面距离坩埚上边沿10~20mm，停止加料，关闭炉门，将炉内环境真空度抽至5.0×10^-3Pa或以下，充入1atm纯度大于99.9%的氢气，再将炉内环境真空度抽至5.0×10^-3Pa或以下；

（2）、按100~300℃/h的升温速率将炉内环境温度升至500℃~900℃，持续保持环境真空度为5.0×10^-3Pa或以下，在500~900℃下保温1~2小时；

（3）、充入纯度大于99.9%的氢气，使炉内环境氢气气压为1~50Pa，再按50~200℃/h的升温速率将炉内环境温度升至1000℃~1500℃，升温结束后，保温1~10小时，然后以100~400℃/h的降温速率降温至室温，即得氧含量低于500ppm的超低氧铬片，其中在所述升温、保温和降温的过程中，均持续通入氢气，以保持炉内环境气压为1~50Pa。

2.根据权利要求1所述的超低氧铬片的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，升温速率为150℃~250℃。

3.根据权利要求1所述的超低氧铬片的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，所述保温的温度为600℃~800℃。

4.根据权利要求1所述的超低氧铬片的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，维持炉内环境氢气气压为5~30Pa。

5.根据权利要求1或4或5所述的超低氧铬片的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，所述保温的温度为1100℃~1300℃。

6.根据权利要求1或4或5所述的超低氧铬片的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，降温速率为200℃~300℃。

7.根据权利要求1所述的超低氧铬片的制备方法，其特征在于：所述的电解铬片的纯度大于99.3%。

8.根据权利要求1所述的超低氧铬片的制备方法，其特征在于：所述的电解铬片的厚度为0.2~3mm。

9.根据权利要求1所述的超低氧铬片的制备方法，其特征在于：电解铬片为不规则形状。

10.根据权利要求1所述的超低氧铬片的制备方法，其特征在于：所述的超低氧铬片的氧含量低于500ppm。