[发明专利]吸附有金属离子的二氧化硅及其制造方法

权利要求书

1.一种吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，包括：

提供溶液，在所述溶液中包括二氧化硅及过硫酸盐；

加热所述溶液，使所述二氧化硅与所述过硫酸盐进行反应，而获得通过过硫酸盐修饰的二氧化硅；以及

在所述溶液中加入金属离子源，所述金属离子源解离出金属离子，所述通过过硫酸盐修饰的二氧化硅吸附所述金属离子，而获得所述吸附有金属离子的二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅包括纳米二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅的材料包括硅溶胶、发烟二氧化硅、聚合物二氧化硅核壳颗粒、含二氧化硅的复合溶胶或上述任二者以上的组合。

4.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅包括通过阳离子交换树脂纯化后的二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，所述过硫酸盐包括过硫酸钠、过硫酸钾、过硫酸铵或上述任二者以上的组合。

6.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，所述金属离子源包括金属硫酸盐、金属硝酸盐、金属卤素盐、金属有机酸盐、金属离子络合物或是上述任二者以上的组合。

7.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，所述金属离子包括Fe³⁺、Fe²⁺、Cu²⁺、Ag⁺或上述任两者以上的组合。

8.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，

所述二氧化硅的重量百分浓度为0.05％至50％，

所述过硫酸盐的剂量为10ppm至100000ppm，

所述金属离子源的剂量为0.1ppm至1500ppm。

9.根据权利要求8所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，所述通过过硫酸盐修饰的二氧化硅吸附99％至100％的所述金属离子。

10.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，经加热后的所述溶液的温度为50℃至90℃。

11.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，所述溶液的加热时间为1小时至3小时。

12.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，在所述通过过硫酸盐修饰的二氧化硅吸附所述金属离子时，所述溶液的酸碱值的范围为4以上且小于7。

13.根据权利要求12所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，所使用的酸碱值调整剂包括氢氧化钾。

14.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，在所述通过过硫酸盐修饰的二氧化硅吸附所述金属离子时，还包括对所述溶液进行搅拌。

15.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，在获得所述通过过硫酸盐修饰的二氧化硅之后，还包括冷却所述溶液。

16.根据权利要求1所述的吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，在所述通过过硫酸盐修饰的二氧化硅吸附所述金属离子时，所述溶液的温度包括室温。

17.一种吸附有金属离子的二氧化硅，其特在在于，其为通过过硫酸盐修饰的吸附有金属离子的二氧化硅。

18.根据权利要求17所述的吸附有金属离子的二氧化硅，其特征在于，所述通过过硫酸盐修饰的吸附有金属离子的二氧化硅包括Si-O-SO₃M，其中M为Fe³⁺、Fe²⁺、Cu²⁺、Ag⁺或上述任两者以上的组合的金属离子。

19.根据权利要求17所述的吸附有金属离子的二氧化硅，其特征在于，所述过硫酸盐包括过硫酸钠、过硫酸钾、过硫酸铵或上述任二者以上的组合。

20.根据权利要求17所述的吸附有金属离子的二氧化硅，其特征在于，所述二氧化硅的材料包括硅溶胶、发烟二氧化硅、聚合物二氧化硅核壳颗粒、含二氧化硅的复合溶胶或上述任二者以上的组合。