[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示器件在审

专利信息
申请号: 201210340180.9 申请日: 2012-09-13
公开(公告)号: CN103676369A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 黎蔚 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 蒋雅洁;迟姗
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制造 方法 显示 器件
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示器件。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

针对现有阵列基板的像素结构而言,像素由数据信号线和栅极信号线交错形成,像素中包含像素电极(pixel)和作为开关的薄膜晶体管(TFT),其中,TFT的栅极连接栅极信号线,源极连接数据信号线,漏极与像素电极连接。公共电极(Vcom)与像素电极之间形成存储电容Cst。

如图1所示,图1所示为现有阵列基板的结构示意图,Vcom6一般设置在栅极层,并采用与TFT的栅极53相同的金属材料制得。如图2所示,图2为现有阵列基板的双栅结构像素阵列示意图,阵列基板包括基板,在基板上形成有矩阵方式排列的像素区域,每个像素区域内形成有位于奇数列的第一像素电极和第一薄膜晶体管,位于偶数列的第二像素电极和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的漏极与第一像素电极连接,第二薄膜晶体管的漏极与第二像素电极连接,每个像素区域内形成有第一栅线和第二栅线,第一栅线与第一薄膜晶体管的栅极连接,第二栅线与第二薄膜晶体管的栅极连接,每个像素区域内形成有一条数据线,数据线分别与偶数列的第二薄膜晶体管的源极、同一行下一像素区域内奇数列的第一薄膜晶体管的源极连接或数据线分别与奇数列的第一薄膜晶体管的源极、同一行上一像素区域内偶数列的第二薄膜晶体管的源极连接。

综上所述,目前的阵列基板虽然采用双栅结构,但是公共电极与像素电极的交叠面积过大,且公共电极线为横向设置,不利于宽屏显示。

发明内容

有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种阵列基板及其制造方法和显示器件,能减少公共电极与像素电极的交叠面积,节约了面积从而能实现宽屏显示。

为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:

一种阵列基板,在基板的每个像素区域内形成有位于奇数列的第一像素电极和位于偶数列的第二像素电极,其中,所述像素区域内形成有至少一条公共电极线,所述公共电极线为纵向设置且平行于数据线。

其中,所述公共电极线和所述数据线与源漏极形成于同一层。

其中,所述公共电极线位于每两条数据线之间,所述位于奇数列的第一像素电极与所述位于偶数列的第二像素电极共用一根公共电极线。

其中,所述公共电极线的布线方式为外部布线方式。

其中,所述公共电极线的布线方式为内部布线方式。

一种阵列基板的制造方法,在基板的每个像素区域内形成有位于奇数列的第一像素电极和位于偶数列的第二像素电极,该方法包括:

将至少一条公共电极线形成在每个像素区域内,将公共电极线设置为纵向布局且平行于数据线。

其中,该方法还包括:将所述公共电极线和所述数据线与源漏极设置于同一层。

其中,该方法还包括:设置所述公共电极线位于每两条数据线之间,所述位于奇数列的第一像素电极与所述位于偶数列的第二像素电极共用一根公共电极线。

其中,所述公共电极线的布线方式为外部布线方式或内部布线方式。

一种显示器件,该显示器件包括权利要求1至5任一项所述的阵列基板。

本发明的阵列基板,采用双栅结构,且在基板的每个像素区域内形成有公共电极线,该公共电极线为纵向设置且平行于数据线,该公共电极线位于每两条数据线之间。

采用本发明,由于公共电极线为纵向设置且平行于数据线,因此,能减少公共电极与像素电极的交叠面积,节约了面积从而能实现宽屏显示。

附图说明

图1为现有阵列基板的结构示意图;

图2为现有阵列基板的双栅结构像素阵列示意图;

图3为本发明阵列基板的结构示意图;

图4为本发明阵列基板像素阵列的一结构示意图;

图5为本发明阵列基板像素阵列的另一种结构示意图。

附图标记说明

1,像素电极;51,源极;52、漏极;53、栅极;54、有源层;55、栅绝缘层;6、公共电极;7、液晶;8、彩膜基板;9、透明电极;10、阵列基板。

具体实施方式

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