[发明专利]凹坑阵列聚合物模板及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210341433.4 申请日: 2012-09-17
公开(公告)号: CN102873795A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 葛海雄;陈延峰;袁长胜;卢明辉 申请(专利权)人: 无锡英普林纳米科技有限公司
主分类号: B29C33/00 分类号: B29C33/00;B29C33/38;B29L11/00
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 李媛媛
地址: 214192 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 阵列 聚合物 模板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.凹坑阵列聚合物模板,其特征是,所述凹坑阵列聚合物模板由聚合物基体和聚合物表面的凹坑阵列组成,凹坑的直径为5微米到100微米。

2.制备如权利要求1所述的凹坑阵列聚合物模板的方法,其特征是该方法包括以下步骤:

1)将塑料瓶开方形孔并注入少量水;用胶将一光滑塑料板粘结在塑料瓶上并密封住方形孔;

2)瓶内水分蒸发并泠凝在塑料板的表面,用显微镜观察其水滴大小;

3)快速冷冻塑料瓶及塑料板;

4)将聚合物的预聚物倾倒到塑料板上有水珠阵列的一面,固化;

5)分离聚合物及塑料板,即得凹坑阵列聚合物模板。

3.根据权利要求2所述的凹坑阵列聚合物模板的制备方法,其特征是所述的聚合物为热固化、光固化或双组份固化的聚合物材料。

4.根据权利要求2或3所述的凹坑阵列聚合物模板的制备方法,其特征是步骤1)中所述的光滑塑料板为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯材料。

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