[发明专利]一种提高压控振荡器调谐范围以及相位噪声性能的方法有效

专利信息
申请号: 201210341673.4 申请日: 2012-09-14
公开(公告)号: CN103023431B 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 盛志雄;于峰崎 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 郝明琴
地址: 518055 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 压控振荡器 调谐 范围 以及 相位 噪声 性能 方法
【权利要求书】:

1.一种提高压控振荡器调谐范围以及相位噪声性能的方法,包括数字调谐模块和开关偏置电流模块,其特征是数字调谐模块和开关偏置电流模块必须同时配合调节,采用开闭对应的偏置电流来补偿数字调谐引起的压控振荡器输出幅度变化;

所述开关偏置电流模块由至少一组偏置电流组成,每一组由一个反相器和两个NMOS管组成,其中一个NMOS管作为开关使用,通过数字信号控制其开与关,另一个NMOS管作为偏置电流源使用,其栅极与输入参考电流连接;

所述数字调谐模块由至少一组开关电容组成,每一组开关电容由两个相同电容,两个相同电阻,一个NMOS管,一个反相器构成,其中NMOS管,两个电阻以及反相器构成开关,通过数字信号控制开关的状态。

2.根据权利要求1所述的提高压控振荡器调谐范围以及相位噪声性能的方法,其特征在于所述数字调谐模块,其实际组数由调谐总范围以及容抗管的调谐范围决定。

3.根据权利要求1所述的提高压控振荡器调谐范围以及相位噪声性能的方法,其特征在于,所述开关偏置电流模块,其实际偏置电流的个数和开关电容的组数相同。

4.根据权利要求1所述的提高压控振荡器调谐范围以及相位噪声性能的方法,其特征在于所述数字调谐模块的电容采用二进制加权的电容阵列,相邻电容的值为两倍关系,相对应的NMOS晶体管长宽比也是两倍关系。

5.根据权利要求1所述的提高压控振荡器调谐范围以及相位噪声性能的方法,其特征在于,所述开关偏置电流模块其数字控制端口与数字调谐模块数字控制端口是相同的,偏置晶体管长宽比与相同控制端口的电容成同比例关系。

6.根据权利要求1所述的提高压控振荡器调谐范围以及相位噪声性能的方法,其特征在于,所述数字信号其必须是相同的数字信号。

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