[发明专利]一种提高GaN衬底使用效率的方法无效
| 申请号： | 201210342056.6 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102867893A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;陈伟;刘慰华 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan 衬底 使用 效率 方法 | ||
1.一种提高GaN衬底使用效率的方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)使用气相沉积方法在GaN衬底上外延一层InGaN异质材料层或InGaN/GaN超晶格结构层；
2)在所述的InGaN异质材料层或InGaN/GaN超晶格结构层上继续外延生长n型掺杂层与后续LED外延结构层；
3)将完成外延后的基于GaN衬底的LED外延片与高反射率的导电基板进行金属键合从而形成一个整体的晶圆片；
4)将键合后的晶圆片进行激光剥离操作，将GaN衬底经由InGaN异质材料层或InGaN/GaN的超晶格结构层从整个晶圆片中剥离,剥离后分别形成可再次重复投入使用的GaN的衬底片和键合的高出光倒装式的LED芯片结构。
2.根据权利要求1所述的提高GaN衬底使用效率的方法，其特征在于:所述的步骤1）中，所述的InGaN异质材料层或InGaN/GaN超晶格结构层的厚度为5～50nm。
3.根据权利要求1或2 所述的提高GaN衬底使用效率的方法，其特征在于:所述的步骤1）中，InGaN材料的In组分范围在10%～50%。
4.根据权利要求1所述的提高GaN衬底使用效率的方法，其特征在于: 所述的步骤3）中, 将外延片的p型表面接触层与导电基板的键合面进行键合。
5.根据权利要求4所述的提高GaN衬底使用效率的方法，其特征在于:所述的导电基板包括Si片或Cu片。
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