[发明专利]带有多个外延层的横向PNP双极晶体管

权利要求书

1.一种横向双极晶体管，其特征在于，包括：

一个第一导电类型的半导体衬底；

一个第一导电类型的第一掩埋层以及一个第二导电类型的第二掩埋层，都形成在所述的衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；以及

两个或多个第二导电类型的外延层，连续形成在所述的衬底上，每个外延层都包括两个或多个扩散区，形成在其中一个外延层中的扩散区与形成在邻近外延层中的扩散区垂直对准；

其中第一组扩散区垂直对准，构成第一导电类型的连续扩散区，并且作为发射极区，第二组扩散区垂直对准，构成第一导电类型的连续扩散区，并且作为集电极区，基极区形成在发射极和集电极区之间的一个或多个外延层中。

2.如权利要求1所述的横向双极晶体管，其特征在于，垂直对准的第三组扩散区，进一步与所述的第一掩埋层垂直对准，构成第一导电类型的连续扩散区，并且作为一个隔离结构。

3.如权利要求1所述的横向双极晶体管，其特征在于，还包括：一个第二导电类型的沉降扩散区，形成在所述的一个或多个外延层中，延伸到所述的第二掩埋层，并与所述的第二掩埋层电接触。

4.一种横向双极晶体管，其特征在于，包括：

一个第一导电类型的半导体衬底；

一个第一导电类型的第一掩埋层以及一个第二导电类型的第二掩埋层，都形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；

一个第二导电类型的第一外延层，形成在衬底上；

第一导电类型的第三、第四和第五掩埋层，形成在第一外延层中，第三掩埋层与第一掩埋层垂直对准，第四和第五掩埋层形成在第二掩埋层上方；

一个第二导电类型的第二外延层，形成在第一外延层上；以及

第一导电类型的第一、第二和第三沉降区，形成在第二外延层中，第一沉降区与第三掩埋层垂直对准，第二沉降区与第四掩埋层垂直对准，第三沉降区与第五掩埋层垂直对准，

其中第一掩埋层、第三掩埋层以及第一沉降区构成一个第一导电类型的连续扩散区，并且作为隔离结构，第四掩埋层和第二沉降区构成第一导电类型的连续扩散区，并且作为发射极区，第五掩埋层和第三沉降区构成第一导电类型的连续扩散区，并且作为集电区；基极区形成在发射极和集电极区之间的第一和第二外延层中。

5.如权利要求4所述的横向双极晶体管，其特征在于，还包括：一个第二导电类型的沉降扩散区，形成在第一和第二外延层中，延伸到第二掩埋层，并与第二掩埋层电接触。

6.一种用于制备横向双极晶体管的方法，其特征在于，包括：

制备一个第一导电类型的半导体衬底；

在衬底中，制备一个第一导电类型的第一掩埋层以及一个第二导电类型的第二掩埋层，第二导电类型与第一导电类型相反；

在衬底上，连续制备一个或多个第二导电类型的外延层；

在每个外延层中，制备两个或多个扩散区，形成在其中一个外延层中的扩散区与形成在邻近外延层中的扩散区垂直对准；并且

对半导体衬底以及一个或多个外延层进行退火；

其中第一组扩散区垂直对准，构成第一导电类型的连续扩散区，并且作为发射极区，第二组扩散区垂直对准，构成第一导电类型的连续扩散区，并且作为集电极区，基极区形成在发射极和集电极区之间的一个或多个外延层中。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，垂直对准的第三组扩散区，进一步与第一掩埋层垂直对准，构成第一导电类型的连续扩散区，并且作为一个隔离结构。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：在一个或多个外延层中，制备一个第二导电类型的沉降扩散区，延伸到第二掩埋层，并与第二掩埋层电接触。