[发明专利]具凹槽电极与光提取结构的发光二极管晶粒及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管晶粒，其特征在于，其包括：

一多层的半导体基板，包括：

一n型限制层；

一多重量子井层，电性连接所述n型限制层，用以发射电磁辐射；及

一p型限制层，电性连接所述多重量子井层；

多个光提取结构，位于所述n型限制层上，用以散射所述电磁辐射；以及

一电极，位于一嵌入所述n型限制层的凹槽内、接近所述多个光提取结构、且电性连接所述n型限制层，所述凹槽具有多个边墙及一底面，所述电极保形地形成于所述凹槽的边墙及底面上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述多个光提取结构包含一粗糙表面，其位于所述n型限制层上且由多个峰部及多个谷部构成。

3.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述多个光提取结构包含多个球体，其沉积或粘贴于所述n型限制层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述电极包含一金属层或多个金属层，其沉积于所述凹槽内。

5.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述凹槽的深度为D，所述电极的厚度为T，且T大于D。

6.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述电极具有一平面，其实质上共平面于所述多个光提取结构的峰部。

7.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述晶粒被装设于一发光二极管系统的一基板上，且所述电极被导线连接至所述基板上的一第二电极。

8.根据权利要求1所述的晶粒，其特征在于，所述电极具有一表面积，其对应于所述凹槽的底面的面积。

9.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述发光二极管晶粒包含一垂直型发光二极管晶粒，其具有一电性连接所述p型限制层的p电极。

10.一种发光二极管晶粒的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成一多层的半导体基板，其包括：

一n型限制层，

一多重量子井层，电性连接所述n型限制层，用以发射电磁辐射，及

一p型限制层，电性连接所述多重量子井层；

形成一凹槽于所述n型限制层内，其具有多个边墙及一平的底面；

形成一电极于所述凹槽内，其包含一保形地形成于所述凹槽的边墙及底面的导电材料；

平坦化所述电极；以及

形成多个光提取结构于所述n型限制层内，并接近所述电极。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述多个光提取结构的步骤包括：

选自由湿式蚀刻法、光增强型湿式蚀刻法、干式蚀刻法、及光电化学的氧化及蚀刻法所组成方法群的其中之一。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述多个光提取结构的步骤包括：

粘贴多个球体于所述n型限制层的表面。

13.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，平坦化所述电极的步骤包括：

选自由研磨法、化学机械平坦化法、及蚀刻法所组成方法群的其中之一。

14.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括蚀刻法。

15.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述电极的步骤包括：

一沉积工艺，用以沉积一单金属层或多个金属层于所述凹槽内。

16.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述电极的步骤包括一举离工艺。

17.一种发光二极管晶粒的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成一多层的半导体基板，其包括：

一n型限制层，

一多重量子井层，电性连接所述n型限制层，用以发射电磁辐射，及

一p型限制层，电性连接所述多重量子井层；

形成多个光提取结构于所述n型限制层内；

形成一凹槽于所述n型限制层内，其接近所述多个光提取结构并具有多个边墙及一平的底面；

形成一电极于所述凹槽内，其包含一保形地形成于所述凹槽的边墙及底面的导电材料；以及

平坦化所述电极。