[发明专利]形成具有电容器与通孔接触的半导体装置的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在绝缘材料层中，形成第一传导结构与电容器的底部电极；

在所述第一传导结构与所述底部电极上方，形成传导材料层；

在所述传导材料层上执行蚀刻工艺，来定义传导材料硬掩模与所述电容器的顶部电极，所述传导材料硬掩模是位在所述第一传导结构的至少一部分的上方；

在所述传导材料硬掩模中形成开口；以及

形成延伸穿过所述传导材料硬掩模中所述开口的第二传导结构，且传导接触所述第一传导结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述传导材料层包括金属、钛、钽、氮化钛与氮化钽的至少其中之一。

3.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一传导结构包括形成传导金属线。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二传导结构包括使用镶嵌工艺来形成传导铜线与传导铜通孔。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述底部电极结构包括铜，以及其中，形成所述底部电极包括执行镶嵌工艺来形成所述底部电极。

6.如权利要求1所述的方法，更包括执行化学机械抛光工艺，来降低所述第二传导结构的高度。

7.一种方法，包括：

在绝缘材料层中，形成第一传导结构与电容器的底部电极；

在所述传导铜结构与所述底部电极上方，形成金属扩散障蔽层；

在所述金属扩散障蔽层上方，形成第二绝缘材料层；

在所述第二绝缘材料层上方，形成金属层；

在所述金属层上执行蚀刻工艺，来定义金属硬掩模与所述电容器的顶部电极，所述金属硬掩模是位在所述第一传导结构的至少一部分上方；

在所述金属硬掩模中形成开口，在所述第二绝缘材料层中形成开口，以及在所述金属扩散障蔽层中形成开口；

形成传导接触所述第一传导结构的第二传导结构，所述第二传导结构延伸穿过所述金属硬掩模、所述第二绝缘材料层和所述金属扩散障蔽层中的开口。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述金属层包括钛、钽、氮化钛与氮化钽的至少其中之一。

9.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述第一传导结构包括形成传导金属线。

10.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述第二传导结构包括使用镶嵌工艺来形成传导铜线与传导铜通孔。

11.如权利要求7所述的方法，其中，所述底部电极结构包括铜，以及其中，形成所述底部电极包括执行镶嵌工艺来形成所述底部电极。

12.如权利要求7所述的方法，更包括执行化学机械抛光工艺，来降低所述第二传导结构的高度。

13.一种方法，包括：

在绝缘材料层中，形成第一传导结构与电容器的底部电极；

在所述第一传导结构与所述底部电极上方形成金属层，其中，所述金属层包括钛、钽、氮化钛与氮化钽的至少其中之一；

在所述金属层上执行蚀刻工艺，来定义金属硬掩模与所述电容器的顶部电极，所述金属硬掩模是位在所述第一传导结构的至少一部分上方；

在所述金属硬掩模中形成开口；以及

形成延伸穿过所述金属硬掩模中所述开口的第二传导结构，且传导接触所述第一传导结构。

14.如权利要求13所述的方法，其中，形成所述第一传导结构包括形成传导金属线。

15.如权利要求13所述的方法，其中，形成所述第二传导结构包括使用镶嵌工艺来形成传导铜线以及传导铜通孔。