[发明专利]一种OLED封装层及其OLED器件和制备方法无效
申请号: | 201210342675.5 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN102856509A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 高淑雅;吕磊;孔祥朝;陈维铅 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 封装 及其 器件 制备 方法 | ||
【技术领域】
本发明涉及OLED技术领域,特别涉及一种OLED封装层及其OLED器件和制备方法。
【背景技术】
现代通信技术中,显示技术起着非常重要的作用,随着手机、数码相机、掌上电脑等信息产品的普及,清晰、轻便的显示器成为人们关注的焦点问题之一。OLED相对于现有的显示技术来说,有着许多无法比拟的优势。有机发光器件(简称OLED,Organic Light Emitting Device)是一种在外加电场驱动下,通过载流子在有机发光层的注入和复合而导致有机材料发光的显示器件。OLED是继CRT、PDP、LCD之后的新一代平板显示技术,并且凭借其优异的光特性和低功耗特性脱颖而出。
OLED发光层的有机材料,大多数对大气中的污染物、氧气以及水汽都十分敏感,一方面氧气直接就是三线态的淬灭剂,明显降低了发光量子效率;另一方面,氧气与发光层发生氧化反应所生成的羰基化合物也是有效的淬灭剂;再加上有机层厚度一般很小,一旦发光材料变质就会形成黑点,随着工作时间的延长,会造成大量不发光区域。而水汽会使有机层化合物发生水解,严重影响其导电性能,大大降低了器件的稳定性。同时,为了有效的进行电子传输,OLED的阴极材料的功函数必须很低,因此OLED阴极材料几乎全是碱金属或碱土金属元素,这些活泼金属极易在空气中或其他含氧的气氛中受到侵蚀,尤其是在含有水汽的环境中,更容易发生电化学腐蚀。而且OLED阴极材料,多采用物理气相沉积法,微小的灰尘颗粒粘附在有机层上,都极易使阴极材料产生针孔,从而成为水汽、氧气与有机功能层接触的通道。还有OLED工作时产生的热量会进一步加剧OLED器件中的发光材料、辅助材料、电极等在空气中的老化,进而影响器件的使用寿命。因此OLED的封装技术也是提高OLED性能的关键制程,而研究与开发有效的封装技术,阻隔水汽和氧气也就极为紧迫和重要。
传统的OLED器件的封装大都采用盒盖方式,材料主要为金属、玻璃等(见附图1)。这种封装方式一般是给器件加一个盖板,并在盖板内侧贴附干燥剂,再通过环氧树脂等密封胶将基板和盖板相结合。这种封装方法虽然大大提高了OLED的寿命,但由于封装盖多为脆性材料,易产生裂纹,而且由于UV固化胶的水氧阻隔性不是很理想,再加上封装后器件厚重,不能满足现代对OLED的轻巧、可曲折性的要求,因此目前的研究热点是对OLED采用薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)。
薄膜封装具体包括两大类:一类是SixN类无机薄膜,另一类是树脂或塑料类有机薄膜(见附图2)。这两类都可以用于柔性显示器件的封装。Hiroshi Nakayama等(Hiroshi Nakayama,Michihiro Ito.Thin Solid Films,519,(2011):4483–4486.)通过有机催化CVD法(O-Cat-CVD)在PEN基板上(甲基硅烷MMS、NH3、H2)生长100nm厚的单层SiNG薄膜,有效的简化了封装材料的结构;Young Gu Lee等(Young Gu Lee,Yun-Hyuk Choi,In Seo Kee,et a1.Organic Electronics.2009,7(15):1352-1355.)通过磁控溅射沉积Al2O3层、蒸汽缩合合成聚脲层,组成5对聚脲(20nm)/Al2O3(50nm)结构封装TEOLED。起始亮度为1000cd/m2时,其寿命为玻璃封装时的86%,约为2570h,而且WVTR为5×10-4g/m2/day。
随着薄膜封装技术的发展,又出现了同时采用有机和无机两种薄膜封装材料的情况。这种封装工艺效果较好,但是由于采用有机/无机薄膜交替封装方式,导致了封装工艺的复杂和难以控制。总体来看传统的盒盖封装技术与薄膜封装技术都有一定的缺陷,封装技术已经成为OLED器件产业化的瓶颈之一。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种OLED封装层及其OLED器件和制备方法,以提高器件的使用寿命。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:
一种OLED封装层,包括氟化镁薄膜和设置于氟化镁薄膜上的硒薄膜;所述氟化镁薄膜设置于OLED器件的阴极上。
本发明进一步的改进在于:氟化镁薄膜的厚度为150-250nm;硒薄膜的厚度为5-15nm。
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