[发明专利]有机电致发光元件、照明设备、以及有机电致发光元件的制造方法有效
申请号: | 201210342747.6 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN103325954A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 杉崎知子;榎本信太郎;天野昌朗;小野富男;真常泰;水野幸民;杉启司;泽部智明;米原健矢;加藤大望 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H05B33/10;H05B33/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱孟清 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 元件 照明设备 以及 制造 方法 | ||
1.一种有机电致发光元件包括:
具有第一主面、以及与所述第一主面相对的一侧上的第二主面、并且具有透光性的第一电极;
与所述第一主面的一部分相对的第二电极;
设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层;
具有与所述第二主面相对的第三主面、以及与所述第三主面相对的一侧上的第四主面、并且具有透光性的光学层,所述第四主面包括与所述第二电极重叠的第一区域、以及当投影在与所述第一主面平行的平面上时不与所述第二电极重叠的第二区域,并且所述第四主面包括设置在所述第一区域中的第一凹凸部、以及设置在所述第二区域中的第二凹凸部;以及
设置在所述第二区域上且掩埋第二凹凸部的平面化层。
2.如权利要求11所述的元件,其特征在于,所述平面化层具有比所述第一凹凸部更平坦的表面。
3.如权利要求1所述的元件,其特征在于,所述平面化层的折射率和所述光学层的折射率之差的绝对值小于或等于0.15。
4.如权利要求1所述的元件,其特征在于,还包括:
电导率高于所述第一电极且设置在当投影在所述平面上时不与所述第二电极重叠的所述第一主面的一部分上的布线层,所述布线层电连接到所述第一电极,
其中所述平面化层设置在当投影在所述平面上时不与所述布线层重叠的所述第二区域的一部分上。
5.如权利要求1所述的元件,其特征在于,还包括:
电导率高于所述第一电极且设置在当投影在所述平面上时不与所述第二电极重叠的所述第二主面的一部分上的布线层,所述布线层电连接到所述第一电极,
其中所述平面化层设置在当投影在所述平面上时不与所述布线层重叠的所述第二区域的一部分上。
6.如权利要求1所述的元件,其特征在于,所述第二电极包括沿着平行于所述第一主面的方向延伸、并且在平行于所述第一主面且垂直于所述方向的另一方向上排列的多个第一导电部。
7.如权利要求1所述的元件,其特征在于,所述第二电极包括具有栅格图案形状的第二导电部。
8.如权利要求1所述的元件,其特征在于,还包括:
具有透光性且设置在所述第一电极和所述光学层之间的第一基板。
9.如权利要求8所述的元件,其特征在于,还包括:
设置在所述光学层和所述第一电极之间的粘合层。
10.如权利要求1所述的元件,其特征在于,还包括:
具有透光性的第二基板,所述第二电极设置在所述第二基板上,
其中所述有机发光层设置在所述第二电极上,
所述第一电极设置在所述有机发光层上;并且
所述光学层设置在第一电极上。
11.如权利要求1所述的元件,其特征在于,所述第一凹凸部和所述第二凹凸部是半球状微透镜。
12.如权利要求11所述的元件,其特征在于,所述微透镜的直径大于或等于780nm且小于或等于1nm。
13.如权利要求1所述的元件,其特征在于,所述第一电极包含从由In、Sn、Zn和Ti组成的组中选择的至少一种元素的氧化物。
14.如权利要求1所述的元件,其特征在于,所述第二电极包含铝和银中的至少一种。
15.一种照明设备,包括:
有机电致发光元件,所述有机电致发光元件包括:
具有第一主面、以及与所述第一主面相对的一侧上的第二主面、并且具有透光性的第一电极;
与所述第一主面的一部分相对的第二电极;
设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层;
具有与所述第二主面相对的第三主面、以及与所述第三主面相对的一侧上的第四主面、并且具有透光性的光学层,所述第四主面包括与所述第二电极重叠的第一区域、以及当投影在与所述第一主面平行的平面上时不与所述第二电极重叠的第二区域,并且所述第四主面包括设置在所述第一区域中的第一凹凸部、以及设置在所述第二区域中的第二凹凸部;以及
设置在所述第二区域上且掩埋第二凹凸部的平面化层;以及
电连接到所述第一电极和所述第二电极、且通过所述第一电极和所述第二电极将电流供应到所述有机发光层的电源部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210342747.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择