[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板。

背景技术

液晶显示器是一种采用液晶材料的显示器。液晶是介于固态和液态间的有机化合物。将其加热会变成透明液态，冷却后会变成结晶的混浊固态。在电场作用下，液晶分子会发生排列上的变化，从而影响通过其的光线变化，这种光线的变化通过偏振片的作用可以表现为明暗的变化。通过对电场的控制控制光线的明暗变化，从而达到显示图像的目的。

为了增大液晶显示器视角，现有技术发展了面内旋转显示技术(In Plane Switching，IPS)、边缘场开关技术(Fringe Field Switching，FFS)等。

在公告号为CN100373241C的中国专利中公开了一种IPS模式的液晶显示面板，结合参考图1和图2，分别示出了所述中国专利中IPS模式的液晶显示面板的示意图以及电极俯视图，所述液晶显示面板包括：阵列基板20，彩膜基板30，位于阵列基板20和彩膜基板30之间的液晶层40，所述阵列基板20包括以矩阵式排布的多条数据线1和多条扫描线(图未示)，在所述数据线1和所述扫描线的每个交叉点处设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)(图未示)。所述液晶显示面板还包括与所述TFT的漏极相连的像素电极6，以及位于所述像素电极6下方的公共电极7，所述像素电极6、所述公共电极7和所述数据线1均为弯折的条形电极结构，所述像素电极6、所述公共电极7和所述数据线1相互平行，在所述像素电极6上加载像素电压，在所述公共电极7上加载公共电压时，所述像素电极6和所述公共电极7之间会形成平行于阵列基板20(或彩膜基板30)电场，所述电场可以使液晶层40在平行于阵列基板20的平面内旋转。

所述像素电极6和所述公共电极7之间设置有氮化硅层22，用于实现像素电极6和公共电极7的绝缘。然而，所述绝缘层对光线具有一定的吸收作用和滤色作用，这容易导致液晶显示面板透光率的下降。

同样的，在FFS模式的液晶显示面板中也存在类似的问题。在公告号为CN101046592C的中国专利中就公开了一种FFS模式的液晶面板。参考图3，示出了所述中国专利中FFS模式的液晶显示面板的示意图，所述液晶显示装置包括：阵列基板AR、彩色滤光片基板CF、以及位于阵列基板AR和彩色滤光片基板CF之间的液晶层LC，所述阵列基板AR在入射光的入射面上设置有第一偏振片61，彩色滤光片基板CF在透射光的出射面上设置有与第一偏光片61偏振方向垂直的第二偏光片62，其中，阵列基板AR，在与液晶层LC相对的面上设置公共电极75、位于公共电极75上的绝缘层76以及位于绝缘层76上的多个条状像素电极78，在公共电极75上加载公共电压，在条状像素电极78上加载像素电压，则可以在条状像素电极78和公共电极75之间形成电场，所述电场可以控制液晶分子在水平面内旋转，施加于条状像素电极78上的像素电压不同，则液晶分子的偏转角度不同。液晶显示装置通过水平面内旋转的液晶分子对入射光进行调制，同时在第一偏光片61和第二偏光片62的配合下，可以获得不同的灰阶的透射光，从而实现显示目的。

类似地，所述绝缘层76会导致液晶显示面板透光率的下降。

除了造成透光率下降之外，绝缘层还容易使公共电极和数据线之间的电容耦合过大，从而增大液晶显示装置的功耗。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种具有较高光透过率的阵列基板及其制造方法、液晶显示面板。

为解决上述问题，本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：在透明基板上形成绝缘相交的扫描线和数据线，位于所述扫描线和数据线交界处与所述扫描线和数据线均相连的薄膜晶体管，以及存储电容，所述扫描线和数据线围成像素区域，所述薄膜晶体管和存储电容位于所述像素区域中；在形成有扫描线、数据线、薄膜晶体管和存储电容的所述透明基板上形成绝缘层；通过半透膜掩模板图案化所述绝缘层形成过孔并使所述像素区域中透光区域的绝缘层厚度小于所述数据线上的绝缘层厚度；在所述绝缘层上形成一透明导电层，图案化所述透明导电层形成公共电极和像素电极，至少部分所述公共电极与所述数据线交叠，像素电极通过所述过孔与所述TFT的漏极相连。

可选地，通过半透膜掩模板图案化所述绝缘层，使像素区域中透光区域的绝缘层的厚度为所述数据线上的绝缘层的厚度的1/3~1/2。

可选地，所述绝缘层为有机膜，形成绝缘层的步骤包括：通过涂覆的方式形成所述有机膜。

可选地，形成有机膜的步骤包括：涂覆的有机膜的厚度位于1500~2000nm的范围内。