[发明专利]半导体主体有掺杂材料区域的元器件和生成该区域的方法

权利要求书

1.一种半导体元器件，具有：

-半导体主体，所述半导体主体具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，

-所述半导体主体中的掺杂材料区域，所述掺杂材料区域利用作为施主的氧/空穴-复合体沿着从所述第一侧向所述第二侧的方向经过长度至少为10μm的部段L构成，其中经过所述部段L的所述掺杂材料区域具有在1x10¹⁷cm^-3至5x10¹⁷cm^-3的范围中的氧浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体元器件，其中所述半导体主体至少部分地由直拉半导体材料或磁性直拉半导体材料构成。

3.根据权利要求1所述的半导体元器件，其中所述半导体主体至少部分地由浮区半导体材料构成。

4.根据权利要求1所述的半导体元器件，其中所述半导体主体包括半导体材料外延层。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体元器件，其中所述掺杂材料区域具有在从2x10¹⁷cm^-3至5x10¹⁷cm^-3的范围中的氧浓度。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体元器件，其中所述掺杂材料区域具有在从3x10¹⁷cm^-3至5x10¹⁷cm^-3的范围中的氧浓度。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体元器件，其中所述半导体主体具有带有基础掺杂材料浓度的基础掺杂量，并且掺杂材料区域具有相对于所述基础掺杂材料更高的掺杂材料浓度。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体元器件，其中作为施主的复合体由氢-氧-晶格空穴-复合体构成。

9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体元器件，其中所述掺杂材料区域具有施主浓度，所述施主浓度沿着所述部段L在相邻的施主浓度最大值与施主浓度最小值之间最多变化了15个系数，并且优选地变化了10个系数。

10.一种功率半导体元器件，具有：

-带有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的半导体主体，

-位于所述半导体主体的所述第一侧上的第一电极和位于所述第二侧上的第二电极，

-位于所述半导体主体中的pn结，其中所述pn结位于所述第一电极和所述第二电极之间，

-位于所述半导体主体中的掺杂材料区域，所述掺杂材料区域由通过由氧/空穴-复合体组成的掺杂物沿着从所述第一侧向所述第二侧的方向经过长度至少为10μm的部段L组成，其中经过所述部段L的所述掺杂材料区域具有在从1x10¹⁷cm^-3至5x10¹⁷cm^-3的范围中的氧浓度。

11.根据权利要求10所述的功率半导体元器件，其中所述掺杂材料由氢-氧-晶格空穴-复合体构成。

12.根据权利要求10或11所述的功率半导体元器件，其中所述半导体主体具有带有基础掺杂材料浓度的基础掺杂量，并且所述掺杂材料区域具有相对于所述基础掺杂材料浓度更高的掺杂材料浓度。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的功率半导体元器件，其中所述掺杂材料区域具有掺杂材料浓度，所述掺杂材料浓度沿着所述部段L在相邻的掺杂材料浓度最大值与掺杂材料浓度最小值之间最多变化了15个系数，并且优选地变化了10个系数。

14.一种用于生成位于半导体主体中的掺杂材料区域的方法，具有以下特点：

-提供具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的半导体主体，其中在所述半导体主体中形成在从所述第一侧到所述第二侧的方向（X）上经过至少10μm的部段L的至少一个子区域，所述子区域具有在从1x10¹⁷cm^-3至5x10¹⁷cm^-3的范围中的氧浓度，

-至少所述子区域在350°C与450°C之间的温度范围内退火，其中掺杂材料区域自身利用在所述子区域中由氧-复合体构成的掺杂材料经过所述部段L形成。