[发明专利]晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子领域，尤其涉及晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法。

背景技术

随着集成电路工艺的发展和机台性能的不断提高，对晶圆边缘的缺陷情况越来越注重。利用晶圆边缘度量与检测工具，例如，CV300R通过对晶圆边缘的度量，旨在帮助半导体厂识别晶圆边缘轮廓形状和放置在晶圆上的薄膜边缘可能影响成品率的不规则外形。实施中，检测机台对晶圆边缘在EBR（Edge Bead Remover,边缘去除工艺）&WEE(wafer edge expose，晶圆边缘去除工艺)后进行缺陷检测是一种快速有效的工艺步骤品质监控方法。因此，保证检测机台自身稳定性和精确性显得至关重要。但是，现有技术中的CV300R采用的自身检测方法过于简单，无法实际反映机台自身的稳定性和精确性。

目前CV300R采用的自身检测方法主要是通过使用与机台匹配的标准片，该标准片的正面、侧面和背面均包含一定数目的微粒（particle），并且在晶圆表面是无法移动的。机台通过日常检测获得三个面1um大小的particle总数目,将测量得到的1um 大小的particle数值比上1um 大小的particle基准数目，其比值结果在（90%，110%）之间时表示机台符合run 货标准，机台可以正常使用。在这种检测方法下，检测结果只能反映机台对颗粒状缺陷（defect）的捕捉能力，而无法体现出对于wafer edge（晶圆边缘）厚度检测的稳定性。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明的目的是提供晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法。该方法克服了现有技术中的圆边缘度量与检测工具的检测结果无法确定晶圆边缘厚度检测的稳定性的问题。

本发明的目的是通过下述技术方案实现的：

一种晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法，其中，包括以下步骤：

提供一标准片，在所述标准片上完成晶圆边缘去除工艺；

利用所述晶圆边缘度量与检测工具对所述标准片进行多次扫描检测，获得所述标准片第一边缘厚度数值组合，所述第一边缘厚度数值组合包括第一最大边缘厚度数值、第一最小边缘厚度数值；

分别对所述第一边缘厚度数值组合的平均计算，获得每个所述第一边缘厚度数值组合的第一平均边缘厚度数值；

取所有的所述第一边缘厚度数值组合的所述第一最大边缘厚度数值、所述第一最小边缘厚度数值和所述第一平均边缘厚度数值进行算术平均值计算，获得算术平均值；

进行日常检测时，对所述标准片进行日常扫描，获得第二边缘厚度数值组合，分别计算出算术平均值与该第二边缘厚度数值组合中的第二最大边缘厚度数值、第二最小边边缘厚度数值和第二平均边缘厚度数值的绝对差；

设定标准数值，分别比较所述绝对差和所述标准数值，通过比较结果，确定检测所述晶圆边缘度量与检测工具的厚度稳定性。

上述的晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法，其中，在所述标准片上进行晶圆边缘去除工艺步骤中，包括：

提供一晶圆作为基底；

在所述晶圆上生成长一层金属铜薄膜；

在所述晶圆边缘进行晶圆边缘去除工艺，去除所述晶圆边缘部分的金属铜薄膜。

上述的晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法，其中，采用金属洗边工艺进行晶圆边缘的去除。

上述的晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法，其中，采用金属边缘刻蚀工艺进行晶圆边缘的去除。

上述的晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法，其中，在比较所述绝对差和所述标准数值的步骤中，包括：

确定一标准数值，将所述算术平均值和所述第二最大边缘厚度数值的第一绝对差、所述标准值和所述第二最小边缘厚度数值的第二绝对差、所述标准值和所述第二平均边缘厚度数值的第三绝对差分别与所述标准数值进行比较；

若所述第一绝对差、所述第二绝对差和所述第三绝对差均小于所述标准数值，则所述晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性符合标准；

若所述第一绝对差或/和所述第二绝对差或/和第三绝对差大于所述标准值，则所述晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性不符合标准。

上述的晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法，其中，设定所述标准数值为20μm。

上述的晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法，其中，所述的晶圆边缘度量与检测工具为CV300R晶圆边缘度量与检测设备。

与已有技术相比，本发明的有益效果在于：