[发明专利]一种黑硅结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造黑硅结构的方法，其特征在于，包括：

获取P型硅衬底；

在所述P型硅衬底上形成黑硅层；

在所述黑硅层中掺入受主杂质，形成掺杂的黑硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述P型硅衬底上形成黑硅层包括：使用反应离子刻蚀法、飞秒激光法、电化学腐蚀法或者湿法刻蚀法在所述P型硅衬底上形成所述黑硅层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述黑硅层中掺入受主杂质包括：使用离子注入法向所述黑硅层中注入受主杂质离子。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述受主杂质为硼、铝、镓或者铟。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：在所述掺杂的黑硅层上和所述P型硅衬底上形成电极。

6.如权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：在所述掺杂的黑硅层上形成势垒层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述势垒层是氮化硅层或者氧化硅层。

8.一种黑硅结构，其特征在于，包括：

P型硅衬底；

掺杂的黑硅层，所述掺杂的黑硅层形成在所述P型硅衬底上，其中所述掺杂的黑硅层中掺入了受主杂质。

9.如权利要求8所述的黑硅结构，其特征在于，还包括势垒层，所述势垒层形成在所述掺杂的黑硅层上。

10.如权利要求8或者9所述的黑硅结构，其特征在于：所述受主杂质为硼、铝、镓或者铟。