[发明专利]过压保护电路无效
申请号: | 201210344424.0 | 申请日: | 2012-09-18 |
公开(公告)号: | CN103683249A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 周晓东;桑园;余力 | 申请(专利权)人: | 郑州单点科技软件有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 | ||
1.一种过压保护电路,包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT),在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(R1),其特征在于,与所述第一电阻(R1)并联一调压电路,所述调压电路包括第二电阻(R2)、第一双极型晶体管(NPN1)、第二双极型晶体管(PNP)、第三双极型晶体管(NPN2)、雪崩二极管或齐纳二极管(D1)和二极管(D2);所述第二电阻(R2)串接于第一双极型晶体管(NPN1)的源极和基极之间;所述电压输入端(VIN)连接至第一双极型晶体管(NPN1)的基极、第二双极型晶体管(PNP)的集电极、第三双极型晶体管(NPN2)的源极和雪崩二极管或齐纳二极管(D1)的正极端;所述电压输出端(VOUT)连接至第一双极型晶体管(NPN1)的源极、二极管(D2)的正极端和第三双极型晶体管(NPN2)的基极;所述第二双极型晶体管(PNP)的源极接地,基极连接至雪崩二极管或齐纳二极管(D1)的负极端和第一双极型晶体管(NPN1)的集电极;所述第三双极型晶体管(NPN2)的集电极和二极管(D2)的负极端接地。
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