[发明专利]用于CT 系统的X 射线辐射检测器

权利要求书

1.一种直接转换X射线辐射检测器，特别是用于CT系统的直接转换X射线辐射检测器，其至少具有：

1.1.检测用的半导体材料，优选化合物半导体，以及

1.2.在半导体材料（HL）和接触材料（KM）之间的至少一个欧姆接触，其中

1.3.所述半导体材料（HL）和所述接触材料（KM）分别具有载流子逸出功（W_HL,W_KM），其特征在于，

1.4.在所述半导体材料（HL）和接触材料（KM）之间插入由中间材料（Z）组成的中间层，其中所述中间材料（Z）的逸出功（W_Z）位于所述半导体材料（HL）的逸出功（W_HL）和所述接触材料（KM）的逸出功（W_KM）之间。

2.根据上述权利要求1所述的X射线辐射检测器，其特征在于，所述中间材料（Z）是化合物半导体材料，优选非金属。

3.根据上述权利要求1或2所述的X射线辐射检测器，其特征在于，所述中间材料（Z）是与所述化合物半导体中的非金属的元素周期的同一主族的材料。

4.根据上述权利要求1至3中任一项所述的X射线辐射检测器，其特征在于，所述中间材料（Z）具有由至少两种不同材料组成的至少两层。

5.根据上述权利要求1至4中任一项所述的X射线辐射检测器，其特征在于，所述中间材料（Z）是由具有不同逸出功（W_Z1-W_Z4）的至少两种元素组成的物质化合物。

6.根据上述权利要求1至5中任一项所述的X射线辐射检测器，其特征在于，至少在所述半导体材料（HL）的表面附近区域的中间层具有所述中间材料（Z）与所述半导体材料（HL）的材料化合物。

7.根据上述权利要求1至6中任一项所述的X射线辐射检测器，其特征在于，所述中间层包括半导体材料（HL）的表面附近区域，从所述表面附近区域中通过蚀刻除去所述半导体材料（HL）中的一类原子。

8.根据上述权利要求1至7中任一项所述的X射线辐射检测器，其特征在于，所述中间层通过沉积方法，特别是蒸发、溅射、无电流沉积、电解和/或化学反应形成在所述半导体材料（HL）的表面上。

9.一种CT系统，其具有根据上述权利要求1至8中任一项所述的X射线辐射检测器。