[发明专利]一种高压超结IGBT的制作方法

权利要求书

1.一种高压超结IGBT的制作方法，其特征在于；包括如下步骤：

第一步，分别在N型，P型衬底上刻蚀出沟槽；

第二步，分别外延P型，N型单晶硅填充沟槽，并在填充完毕后，做正面的平坦化和减薄；

第三步，将硅片正面抛光，然后用酸液处理；

第四步，将处理过的两硅片精确对准后进行键合；

第五步，将键合后的硅片背面减薄去除N层，露出N，P间隔排布的形貌；

第六步，重复第三步，第四步，进行第二次键合；

第七步，进行正面减薄后，制作器件的正面；

第八步，将背面减薄，再在背面淀积P型应变SiGe层作为集电极层；

第九步，采用金属Al/Ti/Ni/Ag制作背面金属层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第三步中对硅片用酸液处理是先用H₂O-H₂SO₄混合液和去离子水清洗，再用稀HF溶液浸泡，最后放入H₂SO₄/H₂O₂混合液中处理使硅片表面形成一层亲水层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于：所述稀HF溶液浓度5%—15%，浸泡1—20min；所述H₂SO₄/H₂O₂的混合液中H₂O₂含量为5%—20%，处理温度100℃—130℃。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第四步中的键合是在温度1000℃—1300℃条件下，在N₂,O₂或惰性气体保护的环境中，键合1-10小时。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第六步根据实际电压等级需求重复第三步、第四步、第五步骤进行多次键合。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第七步中的正面减薄是将正面的P型层减薄到厚度小于10um。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第八步中的背 面减薄是将背面的N型层减薄到厚度小于20um。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第八步中的集电极层厚度15-55nm，Ge含量5%-30%。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于：所述集电极层中的应变SiGe层能用Ge层替换。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第九步中的背面金属层中的金属Al层厚度在0.1—10um。