[发明专利]一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法

权利要求书

1.一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

a、取一碳化硅半导体薄膜（10）；

b、在碳化硅半导体薄膜（10）上生长一硅薄膜层（11）；

c、采用光刻技术在硅薄膜层（11）上形成硅薄膜图案（12）；

d、对上述光刻后的硅薄膜层（11）进行氧化，使硅薄膜图案（12）的边缘向两侧扩张，令硅薄膜图案（12）沿其边缘向两侧加宽后形成亚微米线宽的图案化的氧化硅薄膜（13），并作为碳化硅电力电子器件制造中的掩膜层。

2.根据权利要求1所述的一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，其特征在于：所述碳化硅半导体薄膜（10）的材料为4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC中的任意一种，且该碳化硅半导体薄膜（10）厚度为1μm-800μm，其掺杂浓度为1×10¹⁴-5×10²⁰cm^-3。

3.根据权利要求1所述的一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，其特征在于：所述生长硅薄膜层（11）的方法是采用等离子体增强化学气相沉积方法、高温氧化方法、常压化学气相沉积方法、低压化学气相沉积方法中的一种，所得到的硅薄膜层（11）的晶型为单晶硅或多晶硅或无定形硅，且硅薄膜层（11）的厚度为0.01μm-20μm。

4.根据权利要求1所述的一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，其特征在于：所述的光刻技术是湿法或干法刻蚀技术。

5.根据权利要求3所述的一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，其特征在于：所述硅薄膜图案（12）为叉指状，或平行长条状，或正方形台面状，或上述形状的组合形状，该硅薄膜图案（12）中刻蚀的宽度为1-100μm，刻蚀深度与硅薄膜层（11）的厚度相同，为0.1μm-20μm。

6.根据权利要求5所述的一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，其特征在于：所述硅薄膜图案（12）为正方形台面状时，其宽度为1μm-100μm。

7.根据权利要求5所述的一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，其特征在于：所述硅薄膜图案（12）为平行长条状或叉指状时，其未刻蚀部分的长度为1μm-200μm。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，其特征在于：所述硅薄膜层（11）进行氧化所采用的氧化工艺为：干氧或湿氧氧化工艺，其中，氧化温度为700℃-1300℃，氧化硅薄膜（13）厚度为0.01μm-50μm。

9.根据权利要求8所述的一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，其特征在于：所述硅薄膜层（11）进行氧化的时间为：250-350分钟。