[发明专利]一种垂直结构的LED芯片

说明书

  

技术领域  

本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种垂直结构的LED芯片。

背景技术  

发光二极管广泛应用于仪表指示灯、大尺寸LED背光源、电子广告牌等领域。

在生长LED外延层时，主要选择蓝宝石作为衬底，但是蓝宝石的电导率和热导率较差，导致LED的制作工艺复杂，散热差，寿命短，限值高亮度LED的发展。 

发明内容   

本发明的目的在于提供一种垂直结构的LED芯片，旨在解决现有技术中蓝宝石的电导率和热导率较差，导致LED的制作工艺复杂，散热差，寿命短，限值高亮度LED的发展的问题。

本发明是这样实现的，一种垂直结构的LED芯片，所述垂直结构的LED芯片具体包括： 

高热导率的支撑衬底；

设置在所述支撑衬底上表面的键合材料层；

涂覆在所述键合材料层上的反射层；

所述发射层上面设有透明导电层；

所述透明导电层上表面依次设置p-GaN层、有源层、n-GaN层和欧姆接触电极。

本发明提供的LED芯片采用垂直结构，该垂直结构将蓝宝石衬底逐步剥离，制作工艺简单，提升了LED的散热效果，同时增长了器寿命。 

附图说明  

图1是本发明提供的垂直结构的LED芯片的结构示意图。

具体实施方式  

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

图1示出了本发明提供的垂直结构的LED芯片的结构示意图，为了便于说明，图中仅给出了与本发明相关的部分。 

本发明提供的垂直结构的LED芯片具体包括： 

高热导率的支撑衬底1；

设置在所述支撑衬底1上表面的键合材料层2；

涂覆在所述键合材料层2上的反射层3；

所述发射层3上面设有透明导电层4；

所述透明导电层4上表面依次设置p-GaN层5、有源层6、n-GaN层7和欧姆接触电极8。

在本发明中，上述键合材料层2为导电聚合物，所述反射层3为铝材料，欧姆接触电极8又分为多层，在此不再赘述，但不用以限制本发明。 

本发明提供的LED芯片采用垂直结构，该垂直结构将蓝宝石衬底逐步剥离，制作工艺简单，提升了LED的散热效果，同时增长了器寿命。 

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。