[发明专利]一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法

权利要求书

1.一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法，其特征在于：高铝低锰CuAlMn记忆合金的丝材，尺寸为Ф0.5～2mm，化学成分为：Al26～26.5wt%，Mn5～5.5wt%，复合稀土添加剂0.3～0.8wt%，其余为铜；复合稀土添加剂化学成分为：Nb 30～40wt％、Ce20～30wt％、La 10～20wt％、Y +Pr + Eu +Gd +Tb +Ho +Er +Tm +Lu为10～20wt%，余为铜。

2.根据权利要求1所述一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法，对上述丝材选取预应变量ε分别为2%、4%、6%、8%、10%，将高铝低锰CuAlMn低温记忆合金按照设定的不同预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定；其结果是，预应变量大于2%以后，随着预应变量的增加，高铝低锰CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率提高，但是预变形量超过8％以后，双程记忆回复率有所下降。

3.根据权利要求2所述一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法，对于高铝低锰CuAlMn记忆合金，预应变量应控制在4%～8%范围内，双程记忆回复率达到最大值86%。