[发明专利]一种掩埋PN结势垒肖特基二极管

权利要求书

1.一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，包括背面金属层、衬底基片、基础硅外延层、掩埋体、肖特基势垒、氧化硅外环层和表面金属层；背面金属层置于衬底基片的下方；基础硅外延层覆盖于衬底基片上方；掩埋体与基础硅外延层互为异型半导体，即掩埋体与基础硅外延层各采用N型半导体和P型半导体中的一种；多个掩埋体各自独立且相互隔离地掩埋在基础硅外延层的上部，这些掩埋体与基础硅外延层形成多个PN结；环状的氧化硅外环层位于基础硅外延层的上表面边沿；肖特基势垒位于氧化硅外环层内侧的基础硅外延层之上；表面金属层置于肖特基势垒和氧化硅外环层之上；其特征在于：所述基础硅外延层的上方以及肖特基势垒和氧化硅外环层的下方还增设有一层附加硅外延层，且该附加硅外延层与基础硅外延层为同型半导体，即基础硅外延层与附加硅外延层同为N型半导体或同为P型半导体。

2.根据权利要求1所述的一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述掩埋体呈块状。

3.根据权利要求1或2所述的一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其特征在于：多个掩埋体在基础硅外延层的上部呈矩阵阵列分布或环形阵列分布。

4.根据权利要求1所述的一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其特征在于：还进一步包括有一环状的基础终止环；该基础终止环环绕地掩埋在基础硅外延层的上部边沿处，并将多个掩埋圈设在基础终止环的内侧；基础终止环与基础硅外延层互为异型半导体，基础终止环与基础硅外延层之间形成PN结。

5.根据权利要求1所述的一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其特征在于：还进一步包括有一环状的附加终止环；该附加终止环环绕掩埋在附加硅外延层的边沿处；附加终止环与附加硅外延层互为异型半导体，附加终止环与附加硅外延层之间形成PN结。

6.根据权利要求1所述的一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述附加硅外延层的厚度小于或等于基础硅外延层的厚度。

7.根据权利要求6所述的一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其特征在于：附加硅外延层的厚度小于或等于基础硅外延层中掩埋体的掩埋厚度。