[发明专利]用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法

权利要求书

1.用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法，其特征在于包括如下步骤：

a、合成CIS纳米晶：将CuCl₂和InCl₃置于容器中，加入去离子水搅拌溶解，搅拌过程中滴入MAA，混合均匀后加入Na₂S水溶液，然后加热、保温、冷却、离心提纯制得棕红色CIS纳米晶；

合成含Cu和S元素的纳米晶：将CuCl₂置于容器中，加入去离子水搅拌溶解，搅拌过程中滴入MAA，混合均匀后加入Na₂S水溶液，然后加热、保温、冷却、离心提纯制得棕黄色含Cu和S元素的纳米晶；

合成含In和S元素的纳米晶：将InCl₃置于容器中，加入去离子水搅拌溶解，搅拌过程中滴入MAA，混合均匀后加入Na₂S水溶液，然后加热、保温、冷却、离心提纯制得黄色含In和S元素的纳米晶；

合成Se纳米晶：将SeO₂和阿拉伯树胶溶于去离子水中，再加入抗坏血酸溶液，沉淀除去上清液制得红色Se纳米晶；

b、配置成膜原料：根据配置成膜原料的需要，选择步骤a制得的CIS纳米晶、含Cu和S元素的纳米晶、含In和S元素的纳米晶中的至少一种与Se纳米晶混合，制得含Cu、In、S和Se纳米晶的成膜原料；

c、热处理制得CIS吸收层：将步骤b制得的成膜原料涂在经过亲水处理的FTO玻璃基片上，低温烘干定型，然后在惰性气体保护下高温热处理使纳米晶重结晶，制得致密的CIS吸收层。

2.根据权利要求1所述的用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法，其特征在于：步骤c中，所述低温烘干是指在150℃温度下除去成膜原料中易挥发的溶剂。

3.根据权利要求1所述的用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法，其特征在于：步骤c中，所述高温热处理采用的温度为500℃。

4.根据权利要求1、2或3所述的用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法，其特征在于：合成CIS纳米晶步骤中，CuCl₂、InCl₃和Na₂S的配比为：Cu、In、S的物质的量之比为1︰1︰2。

5.根据权利要求1、2或3所述的用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法，其特征在于：合成含Cu和S元素的纳米晶步骤中，CuCl₂和Na₂S的配比为：Cu、S的物质的量之比为1︰1。

6.根据权利要求1、2或3所述的用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法，其特征在于：合成含In和S元素的纳米晶步骤中，InCl₃和Na₂S的配比为：In、S的物质的量之比为2︰3。

7.根据权利要求1、2或3所述的用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法，其特征在于：步骤b中，制得的成膜原料中Cu、In、Se的物质的量之比为1︰（0.5～1.5）︰（1～15）。

8.根据权利要求7所述的用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法，其特征在于：步骤b中，制得的成膜原料中Cu、In、Se的物质的量之比为0.8︰1︰1。

9.根据权利要求1、2或3所述的用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法，其特征在于：步骤a中，所述加热的最终温度为80～95℃，所述保温的时间为0.5～1h。

10.根据权利要求1、2或3所述的用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法，其特征在于：步骤a中，所述离心提纯的具体步骤为：加入乙醇使纳米晶析出后，采用离心的方式分离纳米晶和上清液，再将纳米晶重新分散在水中，达到提纯纳米晶的目的。