[发明专利]放射线检测设备和包括该放射线检测设备的检测系统无效
申请号: | 201210347102.1 | 申请日: | 2012-09-18 |
公开(公告)号: | CN103006245A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 渡边实;望月千织;横山启吾;大藤将人;川锅润;藤吉健太郎;和山弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | A61B6/00 | 分类号: | A61B6/00;H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 检测 设备 包括 系统 | ||
1.一种检测设备,包括:
转换元件,被配置为将放射线或者光转换成电荷;
晶体管,被配置为根据电荷将电信号输出给信号布线,所述晶体管包括与转换元件连接的第一区域、与信号布线连接的第二区域、布置在第一区域与第二区域之间的第一沟道区、布置在第一区域与第一沟道区之间的第二沟道区、与第一沟道区对应的第一栅极电极以及与第二沟道区对应的第二栅极电极;
与第一栅极电极连接的第一驱动布线;
与第二栅极电极连接的第二驱动布线;
第一导通电压供应单元,被配置为将允许第一沟道区处于导通状态的第一导通电压供应给第一驱动布线;
第二导通电压供应单元,被配置为将允许第二沟道区处于导通状态的第二导通电压供应给第二驱动布线;以及
选择单元,被配置为选择在第二驱动布线与第一导通电压供应单元之间的第一连接以及在第二驱动布线与第二导通电压供应单元之间的第二连接中的任何一个。
2.根据权利要求1所述的检测设备,还包括被配置为控制选择单元的控制单元,
其中控制单元控制选择单元以便在多个拍摄模式之中的第一拍摄模式中选择第二连接并且在多个拍摄模式之中的第二拍摄模式中选择第一连接,以及
其中,晶体管的操作速度在第二拍摄模式中比在第一拍摄模式中高。
3.根据权利要求2所述的检测设备,其中,在第二拍摄模式中,第一导通电压供应单元在其中由第二导通电压供应单元将第二导通电压供应给第二栅极电极的状态中将第一导通电压供应给第一栅极电极。
4.根据权利要求3所述的检测设备,其中第一栅极电极的宽度比第二栅极电极的宽度窄,并且第一沟道区的长度比第二沟道区的长度短。
5.根据权利要求3所述的检测设备,其中多个第二栅极电极被设置,并且多个第二沟道区被设置。
6.根据权利要求1所述的检测设备,
其中多个像素被布置在衬底上并且排列成行和列的矩阵,所述多个像素中的每一个包括转换元件和晶体管,
转换元件被布置在衬底上,
晶体管是被布置在衬底和转换元件之间的薄膜晶体管,以及
薄膜晶体管包括包含第一沟道区、第二沟道区、第一区域和第二区域的半导体层,并且半导体层是多晶的半导体层。
7.根据权利要求6所述的检测设备,
其中像素还包括与用于使转换元件初始化的电源布线连接的用于初始化的薄膜晶体管,
用于初始化的薄膜晶体管包括包含布置在与转换元件连接的第三区域和与电源布线连接的第四区域之间的第三沟道区和布置在第三区域和第三沟道区之间的第四沟道区的半导体层、与第三沟道区对应的第三栅极电极、以及与第四沟道区对应地设置的第四栅极电极。
8.根据权利要求7所述的检测设备,其中第三栅极电极的宽度比第四栅极电极的宽度窄。
9.根据权利要求7所述的检测设备,其中多个第三栅极电极被设置,并且多个第三沟道区被设置。
10.一种检测系统,包括:
根据权利要求1所述的检测设备;
信号处理单元,被配置为处理来自检测设备的信号;
记录单元,被配置为记录来自信号处理单元的信号;
显示单元,被配置为显示来自信号处理单元的信号;以及
传输处理单元,被配置为传输来自信号处理单元的信号。
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