[发明专利]顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种顶栅型有机薄膜晶体管，其包括：

基板；

通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；

由所述有机半导体材料构成的有机半导体层，所述有机半导体层被形成在各自都用所述第一层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方；以及

栅极电极，所述栅极电极隔着栅极绝缘膜沉积在所述有机半导体层上。

2.如权利要求1所述的顶栅型有机薄膜晶体管，其还包括：

也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构成的第二层，所述第二层也用于形成所述源极电极和所述漏极电极，所述第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆接触。

3.如权利要求2所述的顶栅型有机薄膜晶体管，其中，

用于形成所述第一层的金属材料是镍和铜中的至少一种；并且

用于形成所述第二层的所述金属材料是金、铂和钯中的至少一种。

4.如权利要求2所述的顶栅型有机薄膜晶体管，其中，所述第二层被形成为覆盖所述第一层的整个露出表面。

5.如权利要求1或2所述的顶栅型有机薄膜晶体管，其中，所述栅极绝缘膜由有机聚合物材料形成。

6.如权利要求1或2所述的顶栅型有机薄膜晶体管，其中，所述栅极绝缘膜由包括无机材料和有机聚合物材料的多层膜形成。

7.如权利要求1或2所述的顶栅型有机薄膜晶体管，其中，所述有机半导体层以图形化方式形成。

8.一种形成顶栅型有机薄膜晶体管的方法，其包括以下步骤：

通过使用镀膜技术在基板上沉积第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；

在所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方形成有机半导体层；以及

隔着栅极绝缘膜在所述有机半导体层上沉积栅极电极。

9.如权利要求8所述的形成顶栅型有机薄膜晶体管的方法，其还包括以下步骤：

在形成所述有机半导体层之前，也通过使用镀膜技术来沉积由金属材料构成的第二层，所述第二层覆盖所述第一层，并也用于形成所述源极电极和所述漏极电极，所述第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆接触。

10.如权利要求9所述的形成顶栅型有机薄膜晶体管的方法，其中，

用于形成所述第一层的金属材料是镍和铜中的至少一种；并且

用于形成所述第二层的所述金属材料是金、铂和钯中的至少一种。

11.如权利要求9所述的形成顶栅型有机薄膜晶体管的方法，其中，所述第二层被沉积成覆盖所述第一层的整个露出表面。

12.如权利要求8或9所述的形成顶栅型有机薄膜晶体管的方法，其中，所述栅极绝缘膜由有机聚合物材料形成。

13.如权利要求8或9所述的形成顶栅型有机薄膜晶体管的方法，其中，所述栅极绝缘膜由包括无机材料和有机聚合物材料的多层膜形成。

14.如权利要求8或9所述的形成顶栅型有机薄膜晶体管的方法，其中，所述有机半导体层以图形化方式形成。

15.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求1-7中任一项所述的顶栅型有机薄膜晶体管。