[发明专利]普那霉素ⅠA晶体

权利要求书

1.一种如式I所示的普那霉素IA晶体，

其中，其具有与X射线粉末晶体衍射图谱图1基本相同的特征。

2.如权利要求1所述的普那霉素IA晶体，其中，所述晶体在X射线衍射图谱中的下述2θ角有特征峰：3.9、9.0、14.5、14.9、16.0、16.4、16.8、18.3、20.0、24.2，并且所述晶体的熔点为276℃～285℃。

3.一种药物组合物，包括治疗有效量的如权利要求1或2所述的普那霉素IA晶体及其药学上可接受的载体。

4.如权利要求3所述的药物组合物，其中，所述药物组合物还包括选自由普那霉素IIA、普那霉素IB、普那霉素IC、普那霉素IIB、普那霉素IIC组成的组中的至少一种。

5.如权利要求3或4所述的药物组合物，其中，所述药物组合物为片剂、胶囊剂、颗粒剂或混悬剂。

6.一种如权利要求1或2所述的普那霉素IA的晶体在制备用于治疗抗耐药菌感染的药物中的应用。

7.一种制备如权利要求1或2所述的普那霉素IA晶体的方法，所述方法包括如下步骤：

步骤a)：将普那霉素IA溶于C1～C4的一元醇或者C3～C6的酮的溶剂中，在0℃～70℃温度下搅拌溶解，过滤，得到滤液；

步骤b)：在步骤a)所得的滤液中加0.5～10倍滤液体积的纯化水，或者将所得的溶液在常压或减压下加热至溶剂的沸点，蒸出溶剂至剩余体积为加入纯化水体积的0.5～2倍，得到含有结晶的悬浊液；

步骤c)：将步骤a)所得的滤液或步骤b)所得的悬浊液冷却到-30℃～30℃，析出结晶，过滤得到普那霉素IA晶体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述C1～C4的一元醇为甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述C3～C6的酮为丙酮、丁酮或环己酮。