[发明专利]一种PECVD法制备SiO2薄膜的方法

权利要求书

1.一种PECVD法制备SiO₂薄膜的方法，其特征在于：包括下述工艺步骤：

①镀前处理：对基体进行镀前清洁处理；

②装样：将基体用夹具固定好，挂在真空室的外电极上；

③真空排气：用将真空室抽至5.0Pa；

④加热TEOS：将TEOS放入缠有加热带的气罐加热20min得TEOS蒸汽；

⑤通入Ar和TEOS混合气体：当有TEOS蒸汽产生且真空室的真空度达到预定的数值时，然后通入Ar和TEOS混合气体，此时真空度为20~50Pa左右；

⑥输入射频功率：将射频电源低压开关打开，预热5min后高压指示灯亮时即可打开高压开关，调节功率输出旋钮，并且不断调节阻抗匹配网络；

⑦沉积SiO₂薄膜：通过调整制备时间或改变TEOS和Ar流量，制备SiO₂薄膜；

⑧停炉取样：先关闭射频电源功率输出开关，然后再取出基体；

⑨将基体放入退火炉中进行退火处理。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于：所述步骤⑨中的退火温度为400℃。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于：所述步骤⑥中射频电压为400W。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于：所述步骤⑦中沉积时间为17min。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于：所述优选步骤⑦中Ar流量为300sccm，TEOS流量为50sccm或100sccm。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于：所述基体为太阳能集热管玻璃罩管。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于：所述制备方法按下述工艺进行：按照操作规程抽真空至5.0Pa，加热；按照工艺流程，送Ar：300sccm和TEOS：50sccm，气压为20~50Pa；打开射频电压调整至400W；沉积薄膜时间为17min；对沉积的SiO₂薄膜进行退火，退火温度为400℃。

8.一种实施权利要求1~7中任一权利要求所述方法的PECVD设备，包括射频电源系统、等离子体放电装置、水冷系统、加热系统、进气系统和温度检测系统，其特征在于：所述等离子体放电装置包括内电极和外电极，所述内电极和外电极为两个同心圆柱形电极，内电极与射频电源相连，外电极接地，外电极与内电极构成同心圆柱电极。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于：所述的内电极材料为铜。

10.一种由权利要求1所述方法制备的太阳能集热管玻璃罩管。