[发明专利]一种多阻态忆阻器有效
| 申请号： | 201210348359.9 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102832343A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 刘力锋;后羿;陈冰;李悦;于迪;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多阻态忆阻器 | ||
【权利要求书】：
1.一种多阻态忆阻器，其特征在于，包括:自下而上依次形成的底电极层、阻变层和顶电极层；其中，
所述顶电极层和所述底电极层，用于与外部电源进行电连接；
所述阻变层，用于实现多阻态之间的转换。
2.如权利要求1所述忆阻器，其特征在于，
所述底电极为惰性金属、氮化钛和重掺杂硅中的一种；
所述阻变层为氧化铪；
所述顶电极为氮钛钽。
3.如权利要求1所述忆阻器，其特征在于，还包括：电极引出层，用于分别引出顶电极和底电极，并与外部电源进行电连接。
4.如权利要求3所述忆阻器，其特征在于，所述电极引出层为铝铜合金。
5.如权利要求1所述忆阻器，其特征在于，还包括位于底电极层下的衬底层。
6.如权利要求5所示忆阻器，其特征在于，所述衬底层的材料为硅。
7.如权利要求6所述忆阻器，其特征在于，所述衬底层与所述底电极层之间还包括：自下而上依次形成的二氧化硅层和钛层；用于粘附所述底电极层和所述衬底层。
8.如权利要求1所述忆阻器，其特征在于，还包括：隔离层，用来隔离不同的多阻态忆阻器。
9.如权利要求8所述忆阻器，其特征在于，所述隔离层包括自下而上依次形成的氮化硅层和二氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210348359.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用音频接口在手机与设备之间进行通讯的方法
- 下一篇：半自动绕线机
