[发明专利]一种直流-直流升压电路无效
申请号: | 201210349199.X | 申请日: | 2012-09-19 |
公开(公告)号: | CN102843029A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 李适如 | 申请(专利权)人: | 深圳市英威腾电气股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 唐华明 |
地址: | 518055 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直流 升压 电路 | ||
1.一种直流-直流升压电路,其特征在于,包括:
开关模块,谐振模块,升压模块;
其中,所述开关模块,用于通过接收控制脉冲信号来实现所述直流-直流升压电路中支路的开通或关断,以控制电流走向;
所述谐振模块,与所述开关模块相连,用于减少所述直流-直流升压电路中的能量损失;
所述升压模块,与所述开关模块、所述谐振模块均相连,用于无损吸收并积累充电能量以进行升压。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述开关模块包括IGBT管及MOS管,其中,所述MOS管的漏极通过电感与直流电源的正极相连,所述MOS管的源极与所述直流电源的负极相连,所述IGBT管的发射极与所述直流电源的负极相连。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述谐振模块包括谐振电感与第一谐振电容,其中,所述谐振电感的一端与所述MOS管的漏极相连,所述谐振电感的另一端与所述IGBT管的集电极相连,所述第一谐振电容的一端与所述MOS管的漏极相连,所述第一谐振电容的另一端与所述MOS管的源极相连。
4.根据权利要求2或3所述的电路,其特征在于,所述升压模块包括:第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第二谐振电容;
其中,所述第一二极管的阳极与所述IGBT管的集电极相连,所述第二二极管的阳极与所述MOS管的漏极相连,所述第三二极管的阳极与所述第一二极管的阴极相连,所述第三二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连,所述第二谐振电容的一端与所述第二二极管的阳极相连,所述第二谐振电容的另一端与所述第一二极管的阴极相连。
5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述电路还包括电容;
其中,所述电容的一端与所述第二二极管的阴极、所述三二极管的阴极均相连,所述电容的另一端与所述直流电源的负极、所述MOS管的源极、所述IGBT管的发射极均相连。
6.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,
所述MOS管具体为COOL MOS管或碳化硅MOS管。
7.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,
所述IGBT管具体为碳化硅IGBT管。
8.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,
所述第一二极管具体为碳化硅二极管。
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