[发明专利]一种直流-直流升压电路无效

专利信息
申请号: 201210349199.X 申请日: 2012-09-19
公开(公告)号: CN102843029A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 李适如 申请(专利权)人: 深圳市英威腾电气股份有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 唐华明
地址: 518055 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 直流 升压 电路
【权利要求书】:

1.一种直流-直流升压电路,其特征在于,包括:

开关模块,谐振模块,升压模块;

其中,所述开关模块,用于通过接收控制脉冲信号来实现所述直流-直流升压电路中支路的开通或关断,以控制电流走向;

所述谐振模块,与所述开关模块相连,用于减少所述直流-直流升压电路中的能量损失;

所述升压模块,与所述开关模块、所述谐振模块均相连,用于无损吸收并积累充电能量以进行升压。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述开关模块包括IGBT管及MOS管,其中,所述MOS管的漏极通过电感与直流电源的正极相连,所述MOS管的源极与所述直流电源的负极相连,所述IGBT管的发射极与所述直流电源的负极相连。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述谐振模块包括谐振电感与第一谐振电容,其中,所述谐振电感的一端与所述MOS管的漏极相连,所述谐振电感的另一端与所述IGBT管的集电极相连,所述第一谐振电容的一端与所述MOS管的漏极相连,所述第一谐振电容的另一端与所述MOS管的源极相连。

4.根据权利要求2或3所述的电路,其特征在于,所述升压模块包括:第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第二谐振电容;

其中,所述第一二极管的阳极与所述IGBT管的集电极相连,所述第二二极管的阳极与所述MOS管的漏极相连,所述第三二极管的阳极与所述第一二极管的阴极相连,所述第三二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连,所述第二谐振电容的一端与所述第二二极管的阳极相连,所述第二谐振电容的另一端与所述第一二极管的阴极相连。

5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述电路还包括电容;

其中,所述电容的一端与所述第二二极管的阴极、所述三二极管的阴极均相连,所述电容的另一端与所述直流电源的负极、所述MOS管的源极、所述IGBT管的发射极均相连。

6.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,

所述MOS管具体为COOL MOS管或碳化硅MOS管。

7.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,

所述IGBT管具体为碳化硅IGBT管。

8.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,

所述第一二极管具体为碳化硅二极管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市英威腾电气股份有限公司,未经深圳市英威腾电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210349199.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top