[发明专利]成像元件、图像拾取装置、制造装置和制造方法

权利要求书

1.一种成像元件，包括：

在由遮光膜遮挡来自半导体衬底外部的光的光学黑像素区域内提供的传输通道区域，该传输通道区域用于将存在于光学黑像素区域的半导体衬底内部的电荷传送到光学黑像素区域外部。

2.根据权利要求1所述的成像元件，其中，传输通道区域是N型区域。

3.根据权利要求1所述的成像元件，其中，传输通道区域被形成为不与在光学黑像素区域内提供的光电转换元件接触。

4.根据权利要求1所述的成像元件，其中，在光学黑像素区域内提供的光电转换元件在半导体衬底的边界面附近被形成为比在有效像素区域内提供的光电转换元件更薄。

5.根据权利要求1所述的成像元件，其中，在传输通道区域内形成电势梯度，使得电势从光学黑像素区域内部向光学黑像素区域外部沿水平方向降低。

6.根据权利要求1所述的成像元件，其中，传输通道区域被形成为以便将电荷传送到哑像素区域内的像素的光电转换元件，哑像素区域的像素输出不被使用并被与光学黑像素区域邻接布置。

7.根据权利要求6所述的成像元件，其中，哑像素区域被布置在成像元件的光学黑像素区域的外侧。

8.根据权利要求6所述的成像元件，其中，哑像素区域被布置在成像元件的光学黑像素区域的内侧。

9.根据权利要求6所述的成像元件，进一步包括：栅极电极，该栅极电极从半导体衬底的边界面延伸并到达哑像素区域内的传输通道区域。

10.根据权利要求1所述的成像元件，其中，在有效像素区域附近提供光学黑像素区域。

11.一种图像拾取装置，包括：

成像元件，具有在由遮光膜遮挡来自半导体衬底外部的光的光学黑像素区域内提供的传输通道区域，该传输通道区域用于将存在于光学黑像素区域的半导体衬底内部的电荷传送到光学黑像素区域外部。

12.一种制造装置，包括：

传输通道区域形成部件，用于在半导体衬底内形成传输通道区域，该传输通道区域被提供在由遮光膜遮挡来自半导体衬底外部的光的光学黑像素区域内，并且用于将存在于光学黑像素区域的半导体衬底内部的电荷传送到光学黑像素区域外部。

13.根据权利要求12所述的制造装置，其中，传输通道区域形成部件通过如下来在半导体衬底中形成传输通道区域：将抗蚀剂涂在半导体衬底的表面侧的边界面上；在预定位置形成抗蚀剂开口区域；以及注入N型杂质。

14.根据权利要求13所述的制造装置，其中，在光学黑像素区域内，传输通道区域形成部件以所形成的传输通道区域不与光电转换元件接触的深度来注入N型杂质。

15.根据权利要求13所述的制造装置，其中，传输通道区域形成部件注入具有足以将半导体衬底的像素分离区域中的P型杂质转换成N型杂质的浓度的N型杂质。

16.根据权利要求12所述的制造装置，其中，传输通道区域形成部件通过在半导体衬底的背面侧上形成绝缘膜后从半导体衬底的背面侧注入N型杂质来在半导体衬底中形成传输通道区域。

17.一种制造装置的制造方法，包括：

由传输通道区域形成部件在半导体衬底中形成传输通道区域，该传输通道区域被提供在由遮光膜遮挡来自半导体衬底外部的光的光学黑像素区域内，并用于将存在于光学黑像素区域的半导体衬底内部的电荷传送到光学黑像素区域外部。