[发明专利]互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 201210349798.1 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681466A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 | ||
1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成层间介质层；
刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层中形成沟槽或通孔；
在所述沟槽或通孔的底部和侧壁依次形成阻挡层和籽晶层；
在所述沟槽或通孔开口处的籽晶层中注入氮气；
在所述沟槽或通孔中填充满铜金属层；
进行平坦化处理，形成互连线或金属插塞。
2.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氮化钽或氮化钛；所述阻挡层的厚度范围包括：
3.如权利要求1或2所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述阻挡层采用原子层沉积、物理气相沉积或化学气相沉积工艺形成。
4.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述籽晶层的材料为铜或铜合金；所述籽晶层的厚度范围包括：
5.如权利要求1或4所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述籽晶层采用原子层沉积、物理气相沉积或化学气相沉积工艺形成。
6.如权利要求4所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述铜合金包括：铜铝合金、铜钌合金或铜铝合金中一种或多种。
7.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述氮气的注入方向与所述半导体衬底上表面之间的夹角范围包括：5°~15°。
8.如权利要求1或7所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述氮气的注入能量范围包括：1keV~30keV。
9.如权利要求1或7所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述氮气的注入剂量小于或等于1×1015/cm2。
10.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述铜金属层采用电镀工艺形成。
11.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为低介电常数或超低介电常数绝缘材料。
12.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述进行平坦化处理包括：去除与所述氮气对应位置的籽晶层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
