[发明专利]印刷薄膜太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 201210350271.0 | 申请日: | 2012-09-20 |
公开(公告)号: | CN103681910A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 王广武 | 申请(专利权)人: | 王广武 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0465;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110001 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 印刷 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种印刷薄膜太阳能电池,由导电墨,光电转换油墨,薄膜或基板组成,其特征是:导电墨印刷在底层薄膜或底层基板上,光电油墨转换层覆盖在底导电层上,带有透光网格的导电墨印刷在光电转换油墨上,形成面导电层,导电层连线将面导电层外伸部分与相邻底导电层反向外伸部分连接在一起,顶层薄膜或顶层基板覆盖在面导电层上,顶层薄膜或顶层基板与底层薄膜或底层基板结合在一起。
2.一种印刷薄膜太阳能电池,由导电墨,光电转换油墨,薄膜或基板组成,其特征是:导电墨印刷在底层薄膜或底层基板上,光电油墨转换层覆盖在底导电层上,带有透光网格的导电墨印刷在光电转换油墨上,形成面导电层,导电层连线将面导电层外伸部分与相邻底导电层反向外伸部分连接在一起,中间层薄膜或中间层基板覆盖在面导电层上,在中间层薄膜或中间层基板覆盖量子点材料,量子点材料上覆盖面层薄膜或面层基板,顶层薄膜或顶层基板与中间层薄膜或中间层基板与底层薄膜或底层基板结合在一起。
3.如权利要求1或2所述的印刷薄膜太阳能电池,其特征是:太阳能光电转换油墨包括:N极和S极组合油墨,N极和I极和S极组合油墨,但不限于上述组合。
4.如权利要求1或2所述的印刷薄膜太阳能电池,其特征是:顶层薄膜或顶层基板上设置凸凹防反射层。
5.如权利要求1或2所述的印刷薄膜太阳能电池,其特征是:光电油墨、量子点材料封闭在薄膜内部。
6.如权利要求1或2所述的印刷薄膜太阳能电池,其特征是:由导电墨与太阳能光电转换油墨组成的单元体阵列排布在薄膜或基板内部。
7.一种印刷薄膜太阳能电池的制作方法,包括如下步骤:1、将导电墨印刷在底层薄膜或底层基板上,形成底导电层;2、将S极光电油墨印刷在底导电层上;3、将I极光电油墨印刷在S极光电油墨上;4、将N极光电油墨印刷在I极光电油墨上;5、将导电墨印刷在N极光电油墨上,形成网状面导电层,网状面导电层外伸部分与相邻底导电层反向外伸部分相联;6、将顶层薄膜或顶层基板覆盖在面导电层上,加压和加热,使顶层薄膜或顶层基板与底层薄膜或底层基板结合在一起。
8.一种印刷薄膜太阳能电池的制作方法包括如下步骤:1、将导电墨印刷在底层薄膜上,形成底导电层和底导电层下外伸连接层;2、将S极光电油墨印刷在底导电层2上;3、将N极光电油墨印刷在S极光电油墨上;4、将导电墨印刷在在N极光电油墨上,形成面网格导电层和面导电层透光缝隙和面导电层上外伸连接层,上下导电层连线将面导电层上外伸连接层和底导电层下外伸连接层连接在一起;5、将面层薄膜覆盖在面网格导电层上,加压和加热,使面层薄膜与底层薄膜结合在一起。
9.一种印刷薄膜太阳能电池的制作方法包括如下步骤:1、将导电墨印刷在底层薄膜上,形成底导电层和底导电层下外伸连接层;2、将S极光电油墨印刷在底导电层上;3、将I极光电油墨印刷在S极光电油墨上;4、将N极光电油墨印刷在I极光电油墨上;5、将导电墨印刷在在N极光电油墨上,形成面网格导电层和面导电层透光缝隙和面导电层上外伸连接层,上下导电层连线将面导电层上外伸连接层和底导电层下外伸连接层连接在一起;6、将中间层薄膜覆盖在面网格导电层上;7、中间层薄膜上覆盖量子点材料;8、将带顶层薄膜覆盖在量子点材料上,加压和加热,使顶层薄膜与中间层薄膜和底层薄膜结合在一起。
10.一种印刷薄膜太阳能电池的制作方法包括如下步骤:1、将导电墨印刷在底层薄膜上,形成底导电层和底导电层下外伸连接层;2、将S极光电油墨印刷在底导电层上;3、将N极光电油墨印刷在S极光电油墨上;4、将导电墨印刷在在N极光电油墨上,形成面网格导电层和面导电层透光缝隙和面导电层上外伸连接层,上下导电层连线将面导电层上外伸连接层和底导电层下外伸连接层连接在一起;6、将中间层薄膜覆盖在面网格导电层4上;7、中间层薄膜上覆盖量子点材料;8、将顶层薄膜覆盖在量子点材料上,加压和加热,使顶层薄膜与中间层薄膜和底层薄膜结合在一起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的