[发明专利]氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将硅片置入管式炉内；

S2、向所述管式炉内通入氮气，并将所述管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及

S3、利用PECVD法在所述硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

S31、向所述管式炉内通入氨气，对所述硅片表面进行预处理；

S32、向所述管式炉内通入包括硅烷和氨气的第一混合气体，在经预处理的所述硅片表面上形成所述第一氮化硅膜层；

S33、向所述管式炉内通入包括硅烷和氨气的第二混合气体，在所述硅片形成有所述第一氮化硅膜层的一侧表面上形成所述第二氮化硅膜层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S31中进一步包括：

以流量为2800～3200sccm向所述管式炉内通入氨气，并在压强为1300～1500mTorr，射频功率为4800～5400W，时间为200～300s条件下进行所述预处理。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S32中进一步包括：

按照体积流量比为1:3～1:5向所述管式炉内通入所述硅烷和所述氨气，其中所述硅烷的流量为800～1200sccm；在压强为1400～1600mTorr，射频功率为5800～6100W，沉积时间为120～200s条件下，在经预处理的所述硅片上形成所述第一氮化硅膜层。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S33中进一步包括：

按照体积流量比为1:9～1:12向所述管式炉内通入所述硅烷和所述氨气，其中所述硅烷的流量为500～900sccm；在压强为1300～1500mTorr，射频功率为5800～6300W，沉积时间为600～800s条件下，在所述硅片形成有所述第一氮化硅膜层的一侧表面上形成所述第二氮化硅膜层。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S31、S32和S33均是在温度为340℃～360℃条件下进行。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中恒温600s～900s。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中完成所述第二氮化硅膜层沉积后，在温度为340℃～360℃条件下直接取出具有所述氮化硅膜的所述硅片。

9.一种太阳能电池片的制备方法，包括制备氮化硅膜的步骤，其特征在于，所述氮化硅膜为采用权利要求1至8中任一项所述的方法制备而成。

10.一种太阳能电池片，其特征在于，所述电池片为采用权利要求9所述的制备方法制备而成。