[发明专利]一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置有效
申请号: | 201210350926.4 | 申请日: | 2012-09-19 |
公开(公告)号: | CN102879754A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 王慧贤;杨文晖;王铮;魏树峰;张晓兵 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | G01R33/62 | 分类号: | G01R33/62 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 质子 电子 共振 成像 磁场 循环 装置 | ||
1.一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置,其特征在于:所述的循环装置包括永磁磁体(101)、电磁磁体(106)、主动屏蔽线圈(104)、匀场线圈(103)和扫场线圈(105);所述的永磁磁体(101)作为背景主磁场;所述的电磁磁体(106)作为偏置磁场;所述的永磁磁体(101)采用C型开放式结构,由上下两极及一个支撑上下两极的立式轭铁组成,上下两极和立式轭铁三者共同构成一个三面开放的成像区域;在C型永磁磁体的上下两极面向成像区域的一侧均布置有圆形的上极板(102)和圆形的下极板(102’);所述的匀场线圈(103)采用平板式结构,由上下两部分组成,上匀场线圈置于永磁磁体(101)的上极板下方,下匀场线圈置于永磁磁体(101)的下极板上方;所述的主动屏蔽线圈(104)由上、下两个半径和匝数均相同的线圈同轴排列串联构成;上主动屏蔽线圈置于上匀场线圈的下方,下主动屏蔽线圈置于下匀场线圈的上方;所述的扫场线圈(105)采用亥姆霍兹结构,由上、下两个半径和匝数均相同的线圈组成,上扫场线圈置于上主动屏蔽线圈下方,下扫场线圈置于下主动屏蔽线圈上方,上下扫场线圈之间的间距等于扫场线圈的半径;所述的电磁磁体(106)采用亥姆霍兹结构,由两个半径和匝数均相同的线圈同轴排列串联连接,上线圈置于上扫场线圈的下方,下线圈置于下扫场线圈的上方,上下线圈之间的间距等于构成电磁磁体的线圈半径。
2.根据权利要求1所述的用于质子电子双共振成像的磁场循环装置,其特征在于:所述的永磁磁体(101)的上下两极由永磁材料制成的磁钢经充磁后构成,所述的立式轭铁采用A3钢制成;上极板(102)和下极板(102’)由多块A3钢板拼接而成。
3.根据权利要求1所述的用于质子电子双共振成像的磁场循环装置,其特征在于:所述的上极板(102)和下极板(102’)面向成像区域的一面附有一层既不导磁又不导电的绝缘层,所述的绝缘层面向成像区域的一面还附有一层导磁不导电的疏导层。
4.根据权利要求1所述的用于质子电子双共振成像的磁场循环装置,其特征在于:所述的电磁磁体(106)置于永磁磁体内部的成像空间内。
5.根据权利要求1所述的用于质子电子双共振成像的磁场循环装置,其特征在于:所述的上、下主动屏蔽线圈(104)与组成所述电磁磁体的亥姆霍兹线圈同轴;上、下主动屏蔽线圈的绕制方向与组成所述电磁磁体的亥姆霍兹线圈的绕制方向相反;上、下主动屏蔽线圈与组成所述电磁磁体的亥姆霍兹线圈采用大小相等的电流驱动。
6.根据权利要求1所述的用于质子电子双共振成像的磁场循环装置,其特征在于:主动屏蔽线圈(104)置于构成电磁磁体的线圈外围,同时置于永磁磁体的成像空间内。
7.根据权利要求1所述的用于质子电子双共振成像的磁场循环装置,其特征在于:所述的匀场线圈(103)采用平板结构,所述的匀场线圈(103)置于主动屏蔽线圈(104)的外围,同时置于永磁磁体的成像空间内。
8.根据权利要求1所述的用于质子电子双共振成像的磁场循环装置,其特征在于:所述的扫场线圈(105)在成像区域产生均匀磁场,该均匀磁场在一个时间周期内随时间线性变化。
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